[实用新型]低压差线性稳压器、基准模块及集成片上系统有效
申请号: | 201720098261.0 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN206421260U | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 虞峰;郑卫卫;张和平 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人: | 蔡纯,张靖琳 |
地址: | 310012*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 线性 稳压器 基准 模块 集成 系统 | ||
1.一种低压差线性稳压器,其特征在于,用于将供电端提供的供电电压转换成输出端的输出电压,包括:
基准模块,用于产生偏置电流和带隙基准电压;
放大模块,与所述基准模块相连接,用于将输出电压与所述带隙基准电压进行比较,以获得二者的误差信号;以及
输出模块,与所述放大模块相连接,用于根据误差信号控制调整管的电压降,从而稳定输出电压,
其中,所述输出模块包括:
串联连接在所述供电端和接地端之间的第一晶体管和第二晶体管,
所述第一晶体管的控制端接收所述误差信号,
所述第二晶体管采用镜像方式从所述放大模块获得所述偏置电流,从而为所述第一晶体管提供所述偏置电流,
所述第一晶体管和所述第二晶体管的中间节点作为所述输出端,提供所述输出电压。
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述基准模块包括:
串联连接在所述供电端和接地端之间的第三晶体管、第四晶体管和至少一个第五晶体管;以及
串联连接在所述供电端和接地端之间的第六晶体管、第七晶体管、电阻和至少一个第八晶体管,
其中,所述第三晶体管和第六晶体管构成电流镜,所述第四晶体管和第七晶体管构成电流镜,所述至少一个第五晶体管彼此并联连接,所述至少一个第八晶体管彼此并联连接,并且,所述至少一个第五晶体管和所述至少一个第八晶体管的控制端彼此连接且接地,
所述基准电流流经所述第六晶体管。
3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述至少一个第五晶体管和所述至少一个第八晶体管的数量比大于1:8且小于等于1:1。
4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述基准模块还包括:
串联连接在所述供电端和接地端之间的第九晶体管、第十晶体管和第十一晶体管,
其中,所述第九晶体管与所述第六晶体管构成电流镜,从而获得所述基准电流,
所述第十晶体管连接成二极管结构,所述第十一晶体管的控制端接地,
所述第九晶体管和所述第十晶体管的中间节点提供所述带隙基准电压。
5.根据权利要求4所述的低压差线性稳压器,其特征在于,通过设置所述第九晶体管与所述第六晶体管的宽长比的比例关系,获得所需数值的所述带隙基准电压。
6.根据权利要求5所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述带隙基准电压的数值范围为1V到1.8V。
7.根据权利要求4所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述第三晶体管、所述第六晶体管、所述第九晶体管分别为P型的金属氧化物半导体场效应晶体管,
所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第四晶体管、所述第七晶体管分别为N型的金属氧化物半导体场效应晶体管,
所述第十晶体管为N型或P型的金属氧化物半导体场效应晶体管,
所述第五晶体管、所述第八晶体管和所述第十一晶体管分别为PNP型双极晶体管。
8.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述放大模块包括:
运算放大器,所述运算放大器的同相输入端和反相输入端分别接收所述带隙基准电压和所述输出电压,输出端提供所述误差信号。
9.根据权利要求8所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述放大模块还包括:
串联连接在所述供电端和接地端之间的第十二晶体管和第十三晶体管,
其中,所述第十二晶体管采用镜像方式从所述基准模块获得所述偏置电流。
10.根据权利要求9所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述第二晶体管与所述第十三晶体管形成电流镜。
11.根据权利要求9所述的低压差线性稳压器,其特征在于,所述第十二晶体管为P型的金属氧化物半导体场效应晶体管,所述第十三晶体管为N型的金属氧化物半导体场效应晶体管。
12.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器,其特征在于,还包括:
补偿模块,与所述放大模块相连接,用于补偿所述输出电压,
其中,所述补偿模块包括在所述供电端和所述放大模块的输出端之间的串联连接的第十四晶体管和电容,所述第十四晶体管工作于线性区从而作为补偿电阻与所述电容起到补偿作用。
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