[实用新型]电力开关的封装装置

说明书

技术领域

本实用新型与芯片封装有关，特别是关于一种采用覆晶(Flip-chip)封装技术进行芯片封装的电力开关的封装装置。

背景技术

请参照图1，图1图示传统的电力开关的封装装置的示意图。如图1所示，于传统的电力开关的封装装置1中，芯片12设置于导线架10上，位于芯片12下表面的汲极D直接与导线架10接触，位于芯片12上表面的源极S及闸极G则分别通过金属片14或打线的方式与导线架10相连。

然而，在实际应用中，此种封装结构的散热效果明显不佳，并且由于面积较大的汲极D直接与导线架10接触，导致导线架10的面积难以缩减。此外，无论源极S及闸极G皆通过金属片14或打线的方式与导线架10相连，均会有焊接所造成的额外阻抗，亦使其导电性变差。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种电力开关的封装装置，以解决现有技术所述及的问题。

本实用新型的一较佳具体实施例为一种电力开关的封装装置。于此实施例中，电力开关的封装装置包括基板、金属片、芯片及封装体。金属片具有接触部、连接部及接脚部，连接部连接接触部与接脚部，且接触部的延伸方向不同于连接部的延伸方向。芯片具有第一电极与第二电极，且芯片设置于基板与金属片之间，第一电极与第二电极分别位于芯片的彼此相对的第一表面与第二表面。封装体覆盖部分基板、芯片及至少部分金属片。芯片的第二电极耦接基板，且芯片的第一电极耦接接触部的表面。

于一实施例中，接脚部具有第一侧边，第一侧边的部分暴露于封装体。

于一实施例中，接触部具有顶面，顶面至少部份暴露于封装体。

于一实施例中，金属片的接触部、连接部与接脚部依序相连而呈现Z字形。

于一实施例中，接触部具有多个凸点。

于一实施例中，连接部为阶梯状。

于一实施例中，第二表面还包括第三电极。

于一实施例中，金属片与基板电性隔离。

于一实施例中，基板包括多个接脚，金属片与部分上述多个接脚电性接触。

于一实施例中，芯片为单一金氧半场效晶体管(MOSFET)元件的单一晶粒。

于一实施例中，芯片为多个共汲极的金氧半场效晶体管元件的单一晶粒。

于一实施例中，第二表面还设置有第三电极、第四电极及第五电极，第三电极、第四电极及第五电极与基板电性连接。

相较于现有技术，根据本实用新型的电力开关的封装装置是直接以露出于封装体表面的金属片的接脚部作为汲极的接脚，故可有效减少传统的电力开关装置中将金属片焊接于导线架上所造成的额外阻抗，以增进其导电性。

此外，由于本实用新型的电力开关的封装装置是采用覆晶(Flip-chip)封装技术对芯片进行封装，使得面积较大的汲极位于芯片的顶面且面积较小的源极位于芯片的底面，不仅可缩减所需导线架的面积以节省成本之外，还可外加散热器(Heat sink)来协助汲极的散热，而源极则可通过位于其下方的电路板的通孔(Via)来协助散热。

关于本实用新型的优点与精神可以通过以下的实用新型详述及附图得到进一步的了解。

附图说明

图1为传统的电力开关的封装装置的示意图。

图2A、图2B、图3A、图3B、图4、图5A及图5B分别图示根据本实用新型的不同具体实施例的电力开关的封装装置的示意图。

主要元件符号说明：

1、2A、2B、3A、3B、4、5A：电力开关的封装装置

10：导线架

20：基板

12、22：芯片

14、24：金属片

16、26：封装体

240：接触部

242、242’：连接部

244：接脚部

20a、20b：接脚

22a：第一表面

22b：第二表面

D：第一电极(汲极)

S、S1：第二电极(源极)

G、G1：第三电极(闸极)

G2：第四电极(闸极)

S2：第五电极(源极)

PCB：电路板

W：凸点

具体实施方式

现在将详细参考本实用新型的示范性实施例，并在附图中说明所述示范性实施例的实例。在图式及实施方式中所使用相同或类似标号的元件/构件是用来代表相同或类似部分。