[实用新型]一种制备石墨烯薄膜的装置

说明书

技术领域

本实用新型是一种制备石墨烯薄膜的装置，属于石墨烯薄膜领域。

背景技术

石墨烯是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的只有一层原子厚度的二维晶体。用石墨烯取代硅，计算机处理器的运行速度将会快数百倍。

现有技术公开了申请号200410025809.6一种热等离子体雾态气化制备薄膜的装置，该装置包括气体供给源、超声雾化器、等离子体炬发生装置、石英管沉积反应室及其双向可调低速电机、热电偶和温控仪、铜网屏蔽罩等，本发明的装置无需抽真空设备，薄膜沉积反应均在常压进行。使用本装置时，将适当的源物质溶于水配置成先体溶液，采用超声雾化将先体雾化成液滴，用载气将雾滴输运到等离子体中，在常压沉积薄膜；本装置可使用的源物质为能溶于水或烯酸的单质或化合物如金属氧化物、硝酸盐、氯化物和硫酸盐等。本发明可采用的源物质来源广泛，可制备的薄膜种类几乎不受源物质的限制；采用单一的水溶液为先体，薄膜的组份调节方便；薄膜沉积速率高，一次成膜，无需多次涂覆或后续热处理，薄膜制备周期短；所制备的薄膜光滑致密，并可在线大面积沉积薄膜。现有的制备石墨烯薄膜的装置无法做到在运行中让其更加稳定、加快控制。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种制备石墨烯薄膜的装置，以解决现有的制备石墨烯薄膜的装置无法做到在运行中让其更加稳定、加快控制的问题。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种制备石墨烯薄膜的装置，其结构包括磁控板、直流磁环、高频框架、控频装置、光谱层、离子层、氧化膜层，所述高频框架两端设有直流磁环，所述控频装置两侧连接有磁控板，所述高频框架内部设有控频装置，所述控频装置包括气体管体、一位电极、氧化管体、内框板、氧化烯释体、二位电极，所述气体管体一端连接有一位电极外侧，所述一位电极内侧连接有氧化管体一侧，所述氧化管体内部设有氧化烯释体，所述离子层连接有氧化膜层。

进一步地，所述一位电极连接有内框板内侧。

进一步地，所述二位电极连接有内框板内侧。

进一步地，所述光谱层连接有离子层。

进一步地，所述光谱层连接有氧化膜层。

进一步地，所述气体管体设有气体流动。

有益效果

本实用新型的一种制备石墨烯薄膜的装置，控频装置包括气体管体、一位电极、氧化管体、内框板、氧化烯释体、二位电极，气体管体一端连接有一位电极外侧，一位电极内侧连接有氧化管体一侧，氧化管体内部设有氧化烯释体，通过控频装置两侧连接有磁控板，做到了在运行中让其更加稳定、加快控制。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实用新型控频装置的结构示意图；

图2为本实用新型一种制备石墨烯薄膜的装置的结构示意图；

图中：磁控板-1、直流磁环-2、高频框架-3、控频装置-4、光谱层-5、离子层-6、氧化膜层-7、气体管体-8、一位电极-9、氧化管体-10、内框板-11、氧化烯释体-12、二位电极-13。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

请参阅图1与图2，本实用新型提供一种技术方案：其结构包括磁控板1、直流磁环2、高频框架3、控频装置4、光谱层5、离子层6、氧化膜层7，所述高频框架3两端设有直流磁环2，所述控频装置4两侧连接有磁控板1，所述高频框架3内部设有控频装置4，所述控频装置4包括气体管体8、一位电极9、氧化管体10、内框板11、氧化烯释体12、二位电极13，所述气体管体8一端连接有一位电极9外侧，所述一位电极9内侧连接有氧化管体10一侧，所述氧化管体10内部设有氧化烯释体12，所述离子层6连接有氧化膜层7，所述一位电极9连接有内框板11内侧，所述二位电极13连接有内框板11内侧，所述光谱层5连接有离子层6，所述光谱层5连接有氧化膜层7。本实用新型的有益效果是通过控频装置两侧连接有磁控板，做到了在运行中让其更加稳定、加快控制。

在进行使用时，整体带动磁控板、直流磁环、高频框架、控频装置配合运行实现制备石墨烯薄膜，运行中控频装置气体管体、氧化管体、氧化烯释体实现加强稳定、加快控制。

如室内降温采用空调降温，能有效达到降温效果，避免了风吹带来的不便。