[实用新型]一种表面覆膜的双面单晶硅片有效
申请号: | 201720142223.0 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN206441742U | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 周士杰;陈圣铁 | 申请(专利权)人: | 温州隆润科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/048 |
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地址: | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 双面 单晶硅 | ||
1.一种表面覆膜的双面单晶硅片,包括硅片基体(1),其特征在于,所述硅片基体(1)的两侧面均设置有弹性保护层(5),所述弹性保护层(5)包括基体强化层(6)和光学胶弹性层(7),所述光学胶弹性层(7)粘接在硅片基体(1),所述基体强化层(6)粘接在光学胶弹性层(7)远离硅片基体(1)一侧,所述基体强化层(6)远离光学胶弹性层(7)的一侧设置有增透层(4),所述增透层(4)远离光学胶弹性层(7)的一侧设置有钢化玻璃层(3),所述钢化玻璃层(3)远离钢化玻璃层(3)的一侧设置有陷光层(2)。
2.根据权利要求1所述的一种表面覆膜的双面单晶硅片,其特征在于,所述陷光层(2)为透明玻璃,其表面成矩阵状设置有棱台形减反射凸块(10)。
3.根据权利要求1所述的一种表面覆膜的双面单晶硅片,其特征在于,所述增透层(4)包括氧化硅层(8)和氧化锆层(9),氧化硅层(8)和氧化锆层(9)的数量为均不少于两层,且氧化硅层(8)和氧化锆层(9)自上至下交替设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的