[实用新型]可消除火焰水解缺陷的沉积装置有效
申请号: | 201720144914.4 | 申请日: | 2017-02-17 |
公开(公告)号: | CN206570406U | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 金正焕 | 申请(专利权)人: | 金正焕 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;H01L21/67 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 亓赢 |
地址: | 韩国京畿道华城市乡南*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 消除 火焰 水解 缺陷 沉积 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种火焰水解沉积装置,尤其涉及一种具备多个腔室,喷炬在持续火焰的状态下在各个腔室的转台之间相互交替作业给位于转台上部的晶圆片连续涂覆的可消除火焰水解缺陷的沉积装置。
背景技术
现有技术中火焰水解沉积装置(apparatus for flame hydrolysis deposition)(以下简称“FHD”)是由光纤制备方法即VAD(vacuum application deposition:真空中沉积)装置衍生而来,是在常压下给喷炬内供应原料使其燃烧产生反应,进而使氧化物微粒子沉积于基板的装置。
火焰水解沉积(FHD;Flame Hydrolysis Deposition)是用喷炬产生火焰,利用氧化和水解反应产生二氧化硅粒子,使二氧化硅粒子沉积在硅晶圆片上面形成硅膜的方法。通过所述FHD制造的成品基板在基板表面形成的主要成分为石英的下部熔覆层和核心层,其下部熔覆层上的核心层是以反应性离子蚀刻方法形成核心,为了埋没所述核心而形成主成分为石英的上部熔覆层。
为使所述喷炬的氧化物微粒子稳定化而形成氛围的同时将喷炬放置在比转台的基板末端半径更大的位置,即转台边缘位置,使转台以恒定旋转数旋转,同时使所述喷炬向转台的中心方向移动,进而在转台上的基板表面形成以热处理沉积致密化的玻璃薄膜。
专利号为10-0446517,发明名称为硅晶圆片制造用火焰水解沉积装置,公开了具有多个喷炬,转台的构成数量为所述喷炬的两倍,可以在多个晶圆片上沉积二氧化硅粒子的技术方案,但由于配备多个喷炬和转台以及驱动所述喷炬的驱动装置其结构比较复杂,使用配件也多,因此容易造成生产性能低下、生产成本增加等问题。
专利号为10-1176127,发明名称为火焰水解沉积装置,公开了喷炬通过多个分割的分支管供应反应气体和生成火焰所需的燃气的技术方案,但由于延长了作业工艺时间,使效率降低。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种具备多个腔室,喷炬在持续火焰的状态下在各个腔室的转台之间相互交替作业给位于转台上部的晶圆片连续涂覆的可消除火焰水解缺陷的沉积装置,从而实现生产工艺的稳定化并提升产品的产量。
本实用新型的可消除火焰水解缺陷的沉积装置是作为在腔室内将化学反应气体水解产生二氧化硅粒子在晶圆片上沉积形成硅膜的可消除火焰水解缺陷的沉积装置,包括:所述晶圆片和装配晶圆片使其旋转的转台,以隔板为准形成于隔板两旁的两个以上腔室;位于所述两个以上腔室内部的中心上部并包括使含氧气和氢气的燃气反应产生火焰的喷炬、所述喷炬被装配在反应部的喷炬臂上以及驱动喷炬臂旋转的电机;将通过所述燃气反应产生并未沉积在晶圆片上的硅粒子吸入排出的吸入排出装置;配备于所述腔室的一侧,利用激光组(Laser Set)测定晶圆片沉积厚度的激光测定装置部。
作为本实用新型的进一步改进,所述反应部的喷炬臂包括装配在电机上部面与所述电机上部面的旋转同一方向旋转的安放部;在所述安放部的中心延长形成的延长部;以及与所述延长部一侧形成一体,且末端部上形成与所述喷炬对应的中空部的接合部;所述喷炬在中空部以可拆卸的形态被插入接合。
作为本实用新型的又进一步改进,所述喷炬插入接合的反应部的喷炬臂可位于多个转台中心上部。
作为本实用新型的又进一步改进,所述喷炬的横向剖面以同心圆形成,最外侧外周面上具备两个凸块,在喷炬的下端部分装配凸块可以防止喷炬滑落,且用于设置离地面的标准高度。
作为本实用新型的又进一步改进,在所述喷炬外侧外周面上依次设置多个注入口并装配软管以限制由于振动而发生的移动,所述注入口和软管是使用注入气体的“L”状特富龙弯管接头连接,所述注入口为了使特富龙弯管接头顺利插入而为“L”字形。
作为本实用新型的又进一步改进,包括:为测定所述晶圆片的沉积厚度而与所述腔室联动的反应室,其位于腔室一侧,所述转台横跨反应室和腔室两个空间旋转,并利用激光组测定晶圆片沉积厚度的实际测定值而使晶圆片按所设定的厚度设定值进行沉积的激光测定装置部。
作为本实用新型的更进一步改进,所述激光测定装置部的一侧还具备显示晶圆片实时沉积厚度的装置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的