[实用新型]一种板式PECVD机台有效
| 申请号： | 201720154337.7 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN206591180U | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 袁中存;党继东 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 张海英,林波 |
| 地址： | 215129 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 板式 pecvd 机台 | ||
1.一种板式PECVD机台，其特征在于，包括放置有石墨框(2)的传输滚轮(3)，沿着所述传输滚轮(3)的上传输方向依次排放的进料腔(4)、预热腔(5)、用于在硅片(1)的正面绒面(11)的正面形成正面氮化硅层(12)的第一工艺腔(6)、冷却腔(9)以及出料腔(10)，
所述第一工艺腔(6)与所述冷却腔(9)之间还设置有用于在硅片(1)的背面形成背面氮化硅层(14)的第二工艺腔(7)，所述第二工艺腔(7)与所述冷却腔(9)之间还设置有用于在硅片(1)的背面氮化硅层(14)的背面形成背面二氧化硅层(15)的第三工艺腔(8)；
待加工的硅片(1)放置在所述石墨框(2)上，并沿着所述传输滚轮(3)的上传输方向依次经过所述进料腔(4)、所述预热腔(5)、所述第一工艺腔(6)、所述第二工艺腔(7)、所述第三工艺腔(8)、所述冷却腔(9)及所述出料腔(10)。
2.根据权利要求1所述的板式PECVD机台，其特征在于，所述第二工艺腔(7)中通入有氨气和硅烷气体，且所第二工艺腔(7)中配有第一微波激发装置。
3.根据权利要求2所述的板式PECVD机台，其特征在于，经所述第二工艺腔(7)沉积的所述背面氮化硅层(14)的厚度为50～100nm，折射率为2.30～2.60。
4.根据权利要求3所述的板式PECVD机台，其特征在于，所述背面氮化硅层(14)的厚度为80nm，折射率为2.50。
5.根据权利要求1所述的板式PECVD机台，其特征在于，所述第三工艺腔(8)中通入有硅烷和笑气，且所第三工艺腔(8)中配有第二微波激发装置。
6.根据权利要求5所述的板式PECVD机台，其特征在于，所述第三工艺腔(8)沉积的所述背面二氧化硅层(15)的厚度为20～50nm，折射率为1.45～1.70。
7.根据权利要求6所述的板式PECVD机台，其特征在于，所述背面二氧化硅层(15)的厚度为30nm，折射率为1.65。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
