[实用新型]一种板式PECVD机台

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种板式PECVD机台。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。太阳能发电装置的核心是电池片，目前绝大多数都采用硅片制成。

为了提升光伏电池的市场竞争力，急需降低电池片的发电成本，而裸硅片的成本已经占整个电池片加工成本的50％以上，因此，降低裸硅片的成本已经势在必行，而减少硅片厚度则是有效降低硅片成本的有效方法之一。但随着硅片厚度的降低，将会有更多的长波段太阳光穿透过硅片，不能被硅片吸收利用，对效率有所损失；因此，在电池片生产过程中，需要在电池片的半成品电池即硅片的表面镀上一层减反射膜。

目前，采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)，使气体在硅片表面发生化学反应并形成覆盖层，即减反射膜。此减反射膜的主要作用是：降低反射率、良好的体钝化和表面钝化，以及利用氮化硅薄膜的强致密性和耐多数酸碱性，在硅片表面形成保护层。

现有技术中，用于PECVD方法中的板式PECVD机台，如图1所示，包括传输滚轮3’，沿着传输滚轮3’的上传输方向依次排放的进料腔4’、预热腔5’、第一工艺腔6’、冷却腔9’、出料腔10’，待加工的硅片1’放置于石墨框2’上，石墨框2’放置在传输滚轮3’上，通过传输滚轮3’带动待加工的硅片1’依次经过进料腔4’、预热腔5’、第一工艺腔6’、冷却腔9’、出料腔10’后，形成电池片，其结构如图2所示，包括硅片1’，硅片1’的正面有绒面11’，绒面11’以上有正面氮化硅层12’，硅片1’的背面有铝背场13’，由此可见，通过该机台生产的电池片，只在硅片的正面形成正面氮化硅层13’，仅仅实现正面光的反射，而背面光的反射无法通过该机台实现，这就需要额外的设备单独加工实现，使得加工设备需要的数量较多，加工过程繁琐。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提出一种板式PECVD机台，能够实现正面氮化硅和背面氮化硅的加工，制备得到的电池片能够双面反射光，从而有效提升背光吸收率。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种板式PECVD机台，包括放置有石墨框的传输滚轮，沿着所述传输滚轮的上传输方向依次排放的进料腔、预热腔、用于在硅片的正面绒面的正面形成正面氮化硅层的第一工艺腔、冷却腔以及出料腔，

所述第一工艺腔与所述冷却腔之间还设置有用于在硅片的背面形成背面氮化硅层的第二工艺腔，所述第二工艺腔与所述冷却腔之间还设置有用于在硅片的背面氮化硅层的背面形成背面二氧化硅层的第三工艺腔；

待加工的硅片放置在所述石墨框上，并沿着所述传输滚轮的上传输方向依次经过所述进料腔、所述预热腔、所述第一工艺腔、所述第二工艺腔、所述第三工艺腔、所述冷却腔及所述出料腔。

作为一种优选方式，所述第二工艺腔中通入有氨气和硅烷气体，且所第二工艺腔中配有第一微波激发装置。

优选的，经所述第二工艺腔沉积的所述背面氮化硅层的厚度为50～100nm，折射率为2.30～2.60。

进一步优选的，所述背面氮化硅层的厚度为80nm，折射率为2.50。

作为一种优选方式，所述第三工艺腔中通入有硅烷和笑气，且所第三工艺腔中配有第二微波激发装置。

优选的，所述第三工艺腔沉积的所述背面二氧化硅层的厚度为20～50nm，折射率为1.45～1.70。

进一步优选的，所述背面二氧化硅层的厚度为30nm，折射率为1.65。

本实用新型的有益效果为：