[实用新型]一种易于实现的高精度温度检测电路有效

专利信息
申请号: 201720156380.7 申请日: 2017-02-21
公开(公告)号: CN206638358U 公开(公告)日: 2017-11-14
发明(设计)人: 廖宝斌;袁永斌;郭长兴 申请(专利权)人: 贵州木弓贵芯微电子有限公司
主分类号: G01K7/01 分类号: G01K7/01
代理公司: 北京久维律师事务所11582 代理人: 邢江峰
地址: 550000 贵州省贵阳市贵阳国家高新*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 易于 实现 高精度 温度 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种易于实现的高精度温度检测电路,其特征在于,包含有一个电流产生器I1,一个工作在亚阈值区的NMOS管M1,一个运放电路OP1和一个模数转换器ADC1;所述电流产生器I1和所述NMOS管M1串联连接,两者节点经由运放电路OP1连接于模数转换器ADC1。

2.根据权利要求1所述的一种易于实现的高精度温度检测电路,其特征在于,所述电流产生器I1可复用射频收发机中的带隙基准电路和电流偏置电路,具体构造为:包括有五条相互并联连接于的PMOS管线,每条PMOS管线上均串联设有一个PMOS管,自左至右分别为PM1,PM2,PM3,PM4和PM5;其中,所述PM1和PM2所在的PMOS管线之间串联有OP2运算放大器,所述PM3和PM4所在的PMOS管线之间串联有OP3运算放大器;所述PM1和PM2所在的PMOS管线末端分别连接有NPN1三极管和NPN2三极管;所述PM1所在的PMOS管线连接于N1启动电路。

3.根据权利要求1所述的一种易于实现的高精度温度检测电路,其特征在于,所述运放电路OP1的结构为:连接于PMOS管偏置电压Vb的线路分为两支路,左路经由PMOS管PM1连接于NMOS管NM1,右路经由PMOS管PM2连接于NMOS管NM2;所述PMOS管PM1连接于运放的负向输入端Vin;所述PMOS管PM1和所述NMOS管NM1的节点连接于运放的输出端Vout;所述PMOS管PM2连接于运放的正向输入端Vip。

4.根据权利要求1所述的一种易于实现的高精度温度检测电路,其特征在于,所述模数转化器电路ADC1的结构为:基准电压Vref、共模电压Vcm和地VSS分别经由电容连接于正向电压Vip和负向电压Vin;正向电压Vip和负向电压Vin连接于比较器CMP1后输出至模数转化器逻辑电路L1并最终输出ADC的输出数字码字。

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