[实用新型]一种易于实现的高精度温度检测电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及无线通信领域，包括各种温度检测电路，尤其是一种易于实现的高精度温度检测电路。

背景技术

目前温度检测电路，大部分采用BJT的结构，包括两种，一种通过两个不同BJT管子的基极-发射极电压Vbe的差来得到△Vbe，其值为kT，其中k为系数，T为温度，这种方法可以得到精准的温度值，但是由于系数k值较小，故后续电路需要较大的放大电路，限制了这种电路的使用；另一种结构是通过一个BJT管子的基极-发射极电压Vbe直接导出温度，但这种电路虽然较为简单，但是线性度不是很好，在测量大温度范围时，其准确性较差。

实用新型内容

为了解决上述现有技术中存在的问题，本实用新型提供一种易于实现的高精度温度检测电路。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种易于实现的高精度温度检测电路，包含有一个电流产生器I1，一个工作在亚阈值区的NMOS管M1，一个运放电路OP1和一个模数转换器ADC1；所述电流产生器I1和所述NMOS管M1串联连接，两者节点经由运放电路OP1连接于模数转换器ADC1。

本实用新型还具有以下附加技术特征：

作为本方案进一步优化的，所述电流产生器I1可复用射频收发机中的带隙基准电路和电流偏置电路，具体构造为：包括有五条相互并联连接于的PMOS管线，每条PMOS管线上均串联设有一个PMOS管，自左至右分别为PM1，PM2，PM3，PM4和PM5；其中，所述PM1和PM2所在的PMOS管线之间串联有OP2运算放大器，所述PM3和PM4所在的PMOS管线之间串联有OP3运算放大器；所述PM1和PM2所在的PMOS管线末端分别连接有NPN1三极管和NPN2三极管；所述PM1所在的PMOS管线连接于N1启动电路。

作为本方案进一步优化的，所述运放电路OP1的结构为：连接于PMOS管偏置电压Vb的线路分为两支路，左路经由PMOS管PM1连接于NMOS管NM1，右路经由PMOS管PM2连接于NMOS管NM2；所述PMOS管PM1连接于运放的负向输入端Vin；所述PMOS管PM1和所述NMOS管NM1的节点连接于运放的输出端Vout；所述PMOS管PM2连接于运放的正向输入端Vip。

作为本方案进一步优化的，所述可实现的模数转化器电路ADC1的结构为：基准电压Vref、共模电压Vcm和地VSS分别经由电容连接于正向电压Vip和负向电压Vin；正向电压Vip和负向电压Vin连接于比较器CMP1后输出至模数转化器逻辑电路L1并最终输出ADC的输出数字码字。

本实用新型和现有技术相比，其优点在于：

本实用新型创造的目的是解决射频收发机中的大温度范围检测的准确性，并减低了电路的复杂性。本技术与以往温度检测电路相比具有高温度分辨率，和大温度范围检测的准确性，而且本技术使用工作在亚阈值区的MOS管来作为温度感应器，相比于BJT，更易在大规模集成电路中使用；而且本技术使用的温度感应器具有较高的温度系数，其电路简单，易于集成，相对较高的准确度。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的一种易于实现的检测电路原理图；

图2为本实用新型的一种电流产生器电路；

图3在标准的工艺角下，VGS电压及其变化率与温度的关系图；

图4在不同工艺角下，VGS电压及其变化率与温度的关系图；

图5在标准工艺角下，基极-射极电压的变化率与温度的关系图；

图6为本实用新型的一种可以实行的运算放大器；

图7为本实用新型的一种可实现的逐次逼近模数转化器ADC1。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。