[实用新型]一种LED固晶隔膜及LED封装体

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED封装领域，具体涉及一种有效防止LED封装后产生电子迁移的LED固晶隔膜及具有该LED固晶隔膜的LED封装体。

背景技术

LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED灯的出现，相对于普通灯（白炽灯等）具有节能、寿命长、适用性好、回应时间短、环保等优点。

目前市场上，倒装LED由于其大电流和高散热等优点，广泛的应用于LED汽车灯、CSP和倒装集成，由于其长期大电流使用，并且焊接材料主要是锡材料，在长期使用过程中，极为容易出现电子迁移至封装基板的电极焊盘内，最终导致空洞率偏大，影响LED光源的导电及散热，最终导致死灯。

所以必须选择一种既容易操作又能够降低空洞率的方法，使导热锡膏避免发生电子迁移。

实用新型内容

为此，本实用新型提供一种有效防止LED封装后产生电子迁移的LED固晶隔膜及具有该LED固晶隔膜的LED封装体。

为达到上述目的，本实用新型提供的一种LED固晶隔膜，包括：电子迁移阻隔层、第一金属过渡层及金属固晶层，所述第一金属过渡层设置在电子迁移阻隔层表面，所述金属固晶层设置在第一金属过渡层表面，进而形成一层叠结构。

本实用新型的一种优选方案，还包括：第二金属过渡层及金属接合层，所述第二金属过渡层设置在电子迁移阻隔层的背面，所述金属接合层设置在第二金属过渡层的表面。

本实用新型的另一种优选方案，所述第二金属过渡层为金属镍层或金属铬层。

本实用新型的另一种优选方案，所述金属接合层为金锡合金层。

本实用新型的另一种优选方案，所述电子迁移阻隔层为金属铜层。

本实用新型的另一种优选方案，所述第一金属过渡层为金属镍层或金属铬层。

本实用新型的另一种优选方案，所述金属固晶层为金锡合金层。

本实用新型的另一种优选方案，所述金属固晶层上表面的外周还设有一绝缘围坝。

本实用新型的另一种优选方案，所述金属固晶层的表面还设有一助焊层。

本实用新型还提供一种LED封装体，包括：封装基板、固晶锡膏及倒装LED芯片，还包括如上述任一所述的LED固晶隔膜，所述LED固晶隔膜的金属固晶层朝上设置在封装基板的电极上，所述固晶锡膏涂覆在LED固晶隔膜的金属固晶层表面，所述倒装LED芯片的电极通过固晶锡膏固晶在金属固晶层上。

通过本实用新型提供的技术方案，具有如下有益效果：

采用电子迁移阻隔层/第一金属过渡层/金属固晶层的层叠结构的LED固晶隔膜，金属固晶层用于与倒装LED芯片的电极之间进行固晶，电子迁移阻隔层（如金属铜层）可有效阻隔金属固晶层和用于辅助固晶的锡膏、助焊层等的电子迁移，增加了LED的使用寿命。

附图说明

图1所示为实施例一中LED固晶隔膜的结构示意图；

图2所示为实施例二中LED固晶隔膜的结构示意图；

图3所示为实施例中LED封装体的结构示意图。

具体实施方式

为进一步说明各实施例，本实用新型提供有附图。这些附图为本实用新型揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本实用新型的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。

现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

实施例一

参照图1所示，本实施例提供的一种LED固晶隔膜1，包括：电子迁移阻隔层10、第一金属过渡层21及金属固晶层30，所述电子迁移阻隔层10为金属铜层10，其厚度设置在0.2-0.5mm。所述第一金属过渡层21为金属镍层21，金属镍层21通过电子蒸镀或溅镀的方式设置在金属铜层10的表面，其厚度设置在0.1-0.3mm之间。所述金属固晶层30为金锡合金层30，金锡合金层30通过电子蒸镀或溅镀的方式设置在第一金属过渡层21的表面，其厚度设置在0.1-0.5mm。进而形成一层叠结构的LED固晶隔膜1。所述金属固晶层30上表面的外周还设有一绝缘围坝40，该绝缘围坝40的材质为透明硅胶。

本实施例中，电子迁移阻隔层10为金属铜层10，金属铜稳定性好具有较好的隔离锡电子迁移的作用。