[实用新型]防静电掩膜版原材及防静电掩膜版有效
| 申请号： | 201720176072.0 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN206505255U | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杜武兵;吕振群 | 申请（专利权）人： | 深圳市路维光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙)44320 | 代理人： | 肖伟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 掩膜版原材 掩膜版 | ||
【权利要求书】：
1.一种防静电掩膜版原材，包括玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上依次逐层镀膜形成的导电金属膜和铬膜，所述铬膜外表面还均匀涂布有光刻胶。
2.如权利要求1所述的防静电掩膜版原材，其特征在于，所述导电金属膜是透光率大于80%的透明的导电金属薄膜。
3.如权利要求1所述的防静电掩膜版原材，其特征在于，所述导电金属膜是不与铬膜刻蚀处理时所采用的刻蚀剂起化学反应的导电金属膜。
4.一种防静电掩膜版，包括玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上依次逐层镀膜形成的导电金属膜和铬膜，所述铬膜经刻蚀处理形成铬膜图形。
5.如权利要求4所述的防静电掩膜版，其特征在于，所述导电金属膜是透光率大于80%的透明的导电金属薄膜。
6.如权利要求4所述的防静电掩膜版，其特征在于，所述导电金属膜是不与铬膜刻蚀处理时所采用的刻蚀剂起化学反应的导电金属膜。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
