[实用新型]防静电掩膜版原材及防静电掩膜版

说明书

技术领域

本实用新型实施例涉及光罩技术领域，尤其涉及一种防静电掩膜版原材及防静电掩膜版。

背景技术

在LCD、OLED或半导体制作等过程中，都需要使用掩膜版作为一种图形转移的载体。但是，在使用掩膜版过程中，不断接触、摩擦或者环境的因素，掩膜版的金属铬膜上会产生一些静电现象，而玻璃本身是不导电的，无法将这些静电随时导走，这些静电会慢慢累积，达到一定电压差值时就会在相邻的金属线路上放电，严重时就会将图形线路击伤，造成掩膜版铬膜图形有残缺，严重的会造成报废，尤其在高精度精细线路图形中静电现象更加频繁和严重，使得掩膜版的使用寿命大大缩短，其结果就会导致掩膜版不得不重新制作，致使成本的上升，更重要的是不可预知的静电报废会使产线停工，生产延期，造成工厂很多不可估量的损失。

实用新型内容

本实用新型实施例要解决的技术问题在于，提供一种防静电掩膜版原材，用于制作具有防静电能力的掩膜版成品。

本实用新型实施例进一步所要解决的技术问题在于，提供一种防静电掩膜版，使掩膜版铬膜图形能有效避免静电的伤害。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例首先提供如下技术方案：一种防静电掩膜版原材，包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次逐层镀膜形成的导电金属膜和铬膜，所述铬膜外表面还均匀涂布有光刻胶。

进一步地，所述导电金属膜是透光率大于80%的透明的导电金属薄膜。

进一步地，所述导电金属膜是不与铬膜刻蚀处理时所采用的刻蚀剂起化学反应的导电金属膜。

第二方面，本实用新型实施例进一步提供如下技术方案：一种防静电掩膜版，包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次逐层镀膜形成的导电金属膜和铬膜，所述铬膜经刻蚀处理形成铬膜图形。

进一步地，所述导电金属膜是透光率大于80%的透明的导电金属薄膜。

进一步地，所述导电金属膜是不与铬膜刻蚀处理时所采用的刻蚀剂起化学反应的导电金属膜。

实用新型实用新型采用上述技术方案后，本实用新型实施例至少具有如下有益效果：本实用新型实施例提供的掩膜板原材通过在玻璃基板和铬膜之间设置导电金属膜，最终制得的掩膜版也带有所述导电金属膜，从而在使用所述掩膜版时，可以及时有效地导出掩膜版使用过程中因接触、摩擦等因素在铬膜图形上产生的静电，使掩膜版铬膜图形有效避免静电的伤害，延长掩膜版的使用寿命，节约成本。

附图说明

图1是本实用新型掩膜版原材的结构示意图。

图2是本实用新型掩膜版的结构示意图。

图3是本实用新型掩膜版原材制造方法流程示意图。

图4是本实用新型掩膜版制造方法流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详细说明。应当理解，以下的示意性实施例及说明仅用来解释本申请，并不作为对本申请的限定，而且，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。

如图1所示，本实用新型实施例首先提供一种防静电掩膜版原材，包括玻璃基板1、在玻璃基板1上依次逐层镀膜形成的导电金属膜2和铬膜3，以及均匀涂布于所述铬膜3外表面的光刻胶4。

本实施例通过在玻璃基板1和铬膜3之间镀膜形成导电金属膜2，可以及时有效地导出掩膜版使用过程中因接触、摩擦等因素在铬膜图形上产生的静电，使掩膜版铬膜图形有效避免静电的伤害，延长掩膜版的使用寿命，节约成本。

在一个实施例中，所述导电金属膜2是一层透明的导电金属薄膜，透光率大于80%，通过采用透明的导电金属薄膜，在采用所述防静电掩膜版通过光蚀刻技术将铬膜图形复制到产品基板上时，不影响铬膜图形的复制转移。

在另一个实施例中，所述导电金属膜2是不与对铬膜3进行刻蚀处理以形成铬膜图形时所采用的刻蚀剂起化学反应的导电金属膜。在具体实施时，所述刻蚀剂通常采用硝酸铈铵溶液等刻蚀剂，而所述导电金属膜2可以采用氧化铟锡、氧化锌、铝、银或铌中的一种。通过采用不与刻蚀剂起化学反应的导电金属膜2，在经过刻蚀处理后，导电金属膜2也能原封不动的被保留下来。

在具体实施时，所述导电金属膜2厚度优选为10-100nm，有效的控制导电金属膜2厚度，即可以保证导电金属膜2的导电性、透光率，又可以节约材料成本；所述铬膜3厚度优选为80-110nm，所述光刻胶4厚度优选为500-1000nm。