[实用新型]一种MOCVD设备的清洁装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体材料设备领域，尤其涉及一种MOCVD设备的清洁装置。

背景技术

MOCVD（金属有机化合物化学气相沉淀）设备每次生长GaN材料后需要清洁反应腔体，需要清洁的地方有以下两处：

1）喷淋头；用于喷洒MOCVD生长的原材料，反射热源温度，以及形成密闭腔体顶部。

2）石墨盘：石墨材料，外层镀碳化硅保护层；用于承载MOCVD生长的衬底材料，以及将热源温度均匀传递给衬底。

每次生长完成之后，除了在衬底上沉积出外延结构外，喷淋头以及石墨盘之上也会沉积GaN及其副产物，若不将之清洁干净，会影响下一炉次生长的温度分布情况、造成工艺重复性变差，常年积累GaN及其原料还会堵塞原料的出口。

其中喷淋头清洁方式为人工用金属刀具刮，用吸尘器刷头刷，用无尘布反复擦拭及定期用氢氧化钠热溶液浸泡。石墨盘的清洁方式为用吸尘器刷头刷，在MOCVD反应腔或专门的烘烤炉中在高温H₂气氛围下烘烤。

喷淋头清洁方式耗时良久，耽误MOCVD机台生产时间；人力成本高，且清洁的手法及素质差异会影响工艺的稳定性；用刮刀刮容易造成刮痕，对机台造成损坏；用氢氧化钠浸泡需要用专门工具将重达几吨的喷淋头拆卸下，来清洗完后还需1天以上时间进行烘烤，然后再用专业工具安装调试好。

石墨盘的清洁需要人员用吸尘器刷头刷，刷头容易造成碳化硅镀层物理磨损及剥落，一旦镀层穿孔或剥落，里面的石墨在生长过程中挥发出来将严重污染反应腔体。而石墨盘无论炉外烘烤还是炉内烘烤，清理都既耗时又耗费原材料，炉内烘烤占用将专用设备宝贵的生产时间，炉外烘烤设备价格昂贵，而且需要将石墨盘取下送至烘烤炉，然后再安装上干净的石墨盘，取上取下过程既增加损坏几率，造成工艺的可重复性降低。

实用新型内容

本实用新型为解决上述技术问题之一，提供一种MOCVD设备的清洁装置，该清洁装置采用激光剥离晶体，实现MOCVD设备的高质量和高效率的清洁。

本实用新型提供一种MOCVD设备的清洁装置，包括：支架；摆动电机，所述摆动电机设置在支架上；激光发生器，所述激光发生器与所述摆动电机的输出轴连接，以使激光发生器在摆动电机驱动下在竖直方向上转动。

进一步的，还包括旋转电机，所述旋转电机设置在所述支架的顶端以驱动支架旋转。

进一步的，所述支架为圆柱状，所述摆动电机设置在支架的底端。

进一步的，所述支架的底端设有两个支撑部，所述支撑部设有通孔，所述摆动电机设置在支撑部的一侧，摆动电机的输出轴穿过所述通孔并与所述激光器相连。

进一步的，所述摆动电机和旋转电机为步进电机。

进一步的，还包括驱动控制器，用于控制所述激光发生器的输出功率。

本实用新型提供的MOCVD设备的清洁装置，具有激光发生器，采用激光剥离晶体，实现MOCVD设备的高质量和高效率的清洁；清洁过程不需要提供高温和氢气氛围，也无需拆卸任何被清理部件；而且该清洁装置的激光发生器可转动，方便对被清洁部件各个角度的清洁，适用于各种环境条件。

附图说明

图1是本实用新型实施例MOCVD设备的清洁装置的结构示意图；

图2是本实用新型实施例MOCVD设备的清洁装置另一视角的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。