[实用新型]一种整流集成模块

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，更具体地，涉及一种整流集成模块。

背景技术

在很多可控整流的电路中，都存在用一个可控硅控制一个整流全桥的设计，主要设计思路就是利用整流全桥实现对交流电整流为直流电功能，而可控硅主要是利用其可控开关特性，在需要整流的时候，可控硅打开，整流全桥工作，交流电整流为直流电；在不需要整流的时候，可控硅关闭，整流全桥不工作，整个线路截止。

一般而言，在这样的线路中需要一个单独的可控硅和一个单独的整流全桥，结合图1，一个独立的可控硅器件在制造中，需要将可控硅芯片粘片在TO-220框架上，通过高温烧结工艺，使得可控硅芯片与框架紧密结合，接着采用铝丝超声压焊工艺，对可控硅芯片的T1和G极分别与框架的对应引脚进行连接，再采用塑封料对可控硅芯片及裸露的框架进行包封，然后对框架进行切金处理。一个独立的整流桥堆需要将四个整流芯片粘片在框架上，后续步骤与可控硅封装过程一致。在线路板的装配过程中，需要将可控硅人工插件到线路板上，然后分别进行焊接，完成后再将整流全桥插件到线路板上，在进行一次焊接。芯片的封装过程繁琐，线路板的装配过程也十分繁琐，需要大量的人力物力，而且增加了出风险的隐患。

有鉴于现有技术的上述缺陷，需要一种新型的集成模块。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术缺陷，设计一种新的整流集成模块，有效的降低器件的封装成本和安装成本，同时能显著的节省线路板的空间，提高线路板的工作可靠性。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种整流集成模块，包括框架、可控硅和整流二极管，所述框架包括可控硅载片区、二极管载片区和一号引脚到六号引脚，所述可控硅载片区对应二号引脚，所述可控硅芯片粘片于可控硅载片区，可控硅的T1极、T2极和G极分别连接到框架的三号引脚、二号引脚和一号引脚上，四个整流二极管芯片分别粘片于框架上的四个二极管载片区，四个整流二极管芯片的正负极串接成桥堆，桥堆芯片的两个引出极分别连接五号引脚和六号引脚，可控硅与桥堆表面连接。

本实用新型所述的可控硅与桥堆表面通过铝丝连接，铝丝直径为300μm，可以承受大电流。

本实用新型所述可控硅芯片和整流二极管芯片与框架之间为烧结融合固定连接。

本实用新型所述可控硅的电极与框架的引脚采用焊接方式连接。

本实用新型所述整流二极管芯片的正负极采用焊接方式串接。

AC1输入端连接集成模块的二号引脚，AC2输入端连接集成模块的四号引脚，经过集成模块的整流后，集成模块的六号引脚作为直流电的正极，五号引脚作为直流电的负极。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：本实用新型所述的整流集成模块，将可控硅和整流桥整合到一起，有效的降低了器件的封装过程，减少了封装器件的次数，减少了器件与线路板的焊接次数，从而极大的降低了整个的制造成本，同时减少了器件的体积，有助于线路板的优化设计，提高了线路板的可靠性。

附图说明

图1为背景技术所述的现有线路图。

图2为本实用新型所述的整流集成模块的框架结构图。

图3为采用本实用新型所述的整流集成模块后的线路图。

图中：1-一号引脚，2-二号引脚，3-三号引脚，4-四号引脚，5-五号引脚，6-六号引脚，7-框架，8-可控硅载片区，9-二极管载片区。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本实用新型的优选实施方式。

根据图3所示的一种整流集成模块，包括框架7、可控硅和整流二极管，所述框架7包括可控硅载片区8、二极管载片区9和一号引脚到六号引脚(1,2,3,4,5,6)，所述可控硅载片区8对应二号引脚2，所述可控硅芯片粘片于可控硅载片区8，可控硅的T1极、T2极和G极分别连接到框架7的三号引脚3、二号引脚2和一号引脚上1，四个整流二极管芯片分别粘片于框架7上的四个二极管载片区9，四个整流二极管芯片的正负极串接成桥堆，桥堆芯片的两个引出极分别连接五号引脚5和六号引脚6，可控硅与桥堆表面通过铝丝连接，铝丝直径为300μm，可以承受大电流。

本实施例所述可控硅芯片和整流二极管芯片与框架7之间为烧结融合固定连接。

本实施例所述可控硅的电极与框架7的引脚采用焊接方式连接。

本实施例所述整流二极管芯片的正负极采用焊接方式串接。

将本实施例所述的整流集成模块连接到电路中，线路如图3所示，AC1输入端连接集成模块的二号引脚2，AC2输入端连接集成模块的四号引脚4，经过集成模块的整流后，集成模块的六号引脚6作为直流电的正极，五号引脚5作为直流电的负极。