[实用新型]显示面板有效
申请号: | 201720229343.4 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN206619595U | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 蓝学新;郑丽华 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括
沿第一方向延伸的m条扫描线;
沿第二方向延伸的n条数据线;
沿所述第二方向延伸的m条栅极驱动引线;
栅极驱动电路,所述栅极驱动电路位于所述显示面板沿着所述第二方向延伸的边框区域内,且所述栅极驱动电路通过所述栅极驱动引线向所述扫描线提供栅极驱动信号;
其中,存在至少一条所述数据线和至少一条所述栅极驱动引线位于不同的导体层;m,n为正整数。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括薄膜晶体管阵列和像素电极阵列;
所述薄膜晶体管阵列包括阵列排布的多个薄膜晶体管,所述像素电极阵列包括m×n个分别位于由所述数据线和所述扫描线交叉形成的各显示像素内的像素电极;
各所述薄膜晶体管的栅极形成于第一金属层,各所述薄膜晶体管的源极和漏极形成于与所述第一金属层绝缘的第二金属层;
所述薄膜晶体管阵列中第i行第j列的薄膜晶体管的栅极与第i条扫描线电连接,第i行第j列的所述薄膜晶体管的源极与第j条所述数据线电连接,且第i行第j列的所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极阵列中第i行第j列的像素电极电连接,各所述栅极驱动引线与所述扫描线一一对应电连接,其中,i,j为正整数,1≤i≤m,1≤j≤n;
各所述扫描线形成在所述第一金属层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于:
所述显示面板还包括第三金属层;
n条所述数据线中,存在n1条数据线形成在所述第二金属层,n2条数据线形成在所述第三金属层;
其中,0≤n1、n2≤n,且n1+n2=n。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于:
m条所述栅极驱动引线中,存在m1条栅极驱动引线形成在所述第二金属层,m2条栅极驱动引线形成在所述第三金属层;
其中,0≤m1、m2≤m,且m1+m2=m。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于:
所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层之间形成有绝缘层,所述绝缘层上开设有多个通孔;
各所述栅极驱动引线与对应的所述扫描线通过所述通孔电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于:
形成在所述第三金属层的n2条数据线通过所述通孔与各所述薄膜晶体管的源极电连接。
7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于:
所述像素电极阵列形成在所述显示面板的第一导体层;
其中,所述第一金属层和所述第二金属层形成在所述第一导体层的同一侧。
8.根据权利要求4-6任意一项所述的显示面板,其特征在于:
m≥n;
所述第二金属层中,任意两条数据线之间形成有至少一条栅极驱动引线,且所述第三金属层中,任意两条数据线之间形成有至少一条栅极驱动引线。
9.根据权利要求4-6任意一项所述的显示面板,其特征在于:
m≤n;
所述第二金属层中,任意两条栅极驱动引线之间形成有至少一条 数据线,且所述第三金属层中,任意两条栅极驱动引线之间形成有至少一条数据线。
10.根据权利要求1-7任意一项所述的显示面板,其特征在于:
所述显示面板沿着所述第二方向延伸的边框区域包括相对的第一边框区域和第二边框区域;
所述栅极驱动电路包括多个第一栅极驱动单元和多个第二栅极驱动单元;
其中,所述第一栅极驱动单元形成在所述第一边框区域,所述第二栅极驱动单元形成在所述第二边框区域。
11.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于:
所述显示面板还包括有源层,所述薄膜晶体管阵列中的各所述薄膜晶体管还包括形成于所述有源层的沟道,各所述沟道用于连接该薄膜晶体管的源极和漏极;
所述薄膜晶体管阵列中,第i行第j列的薄膜晶体管与第i行第j+1列的薄膜晶体管关于所述第二方向镜像对称。
12.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于:
所述显示面板还包括有源层,所述薄膜晶体管阵列中的各所述薄膜晶体管还包括形成于所述有源层的沟道,各所述沟道用于连接该薄膜晶体管的源极和漏极;
所述薄膜晶体管的源极和漏极分别位于与该薄膜晶体管连接的扫描线的两侧;
所述沟道包括与薄膜晶体管的源极连接并沿第二方向延伸的第一部分、与薄膜晶体管的漏极连接并沿所述第二方向延伸的第二部分以及沿与所述第二方向相交的方向延伸且与所述第一部分和所述第二部分连接的第三部分;
各所述薄膜晶体管的沟道的第一部分与其中一条数据线向所述有源层的正投影至少部分地重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的