[实用新型]显示面板有效
申请号: | 201720229343.4 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN206619595U | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 蓝学新;郑丽华 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及显示技术领域,尤其涉及显示面板。
背景技术
在显示装置中,通常包括多条数据线、多条扫描线和由数据线、扫描线绝缘交叉限定出的多个像素区域。在进行显示时,可以向数据线施加数据电压信号,并通过扫描线选通像素区域的某一像素行,从而实现该行各像素的发光。
一般而言,为了实现显示装置中,各像素的逐行显示,通常采用移位寄存器来控制各扫描线的选通。移位寄存器通常包括多个级联的移位寄存单元,每个移位寄存单元向其中一条扫描线发送选通信号,从而选通该行像素区域。通常,移位寄存器设置在扫描线其中一端或两端的边框区域中。例如,当扫描线沿水平方向延伸时,移位寄存器的各移位寄存单元可以设置在显示装置的左边框和/或右边框。而由于显示装置的尺寸和分辨率的增加,像素行的数量、扫描线的数量也随之增加,因而,因为寄存器需要更多级的移位寄存单元来控制扫描线的选通。对于具有水平延伸的扫描线的显示器而言,其左右边框区域的面积也将大大增加,不利于左右边框窄边框的实现。
实用新型内容
为了解决上述现有技术中的一个或多个技术问题,本申请提供了显示面板。
本申请提供了一种显示面板,包括:沿第一方向延伸的m条扫描线;沿第二方向延伸的n条数据线;沿第二方向延伸的m条栅极驱动引线;栅极驱动电路,栅极驱动电路位于显示面板沿着第二方向延伸的边框区域内,且栅极驱动电路通过栅极驱动引线向扫描线提供栅极驱动信号;其中,存在至少一条数据线和至少一条栅极驱动引线位于不同的导体层。
在一些实施例中,显示面板还包括薄膜晶体管阵列和像素电极阵列;薄膜晶体管阵列包括阵列排布的多个薄膜晶体管,像素电极阵列包括m×n个分别位于由数据线和扫描线交叉形成的各显示像素内的像素电极;各薄膜晶体管的栅极形成于第一金属层,各薄膜晶体管的源极和漏极形成于与第一金属层绝缘的第二金属层;薄膜晶体管阵列中第i行第j列的薄膜晶体管的栅极与第i条扫描线电连接,第i行第j列的薄膜晶体管的源极与第j条数据线电连接,且第i行第j列的薄膜晶体管的漏极与像素电极阵列中第i行第j列的像素电极电连接,各栅极驱动引线与扫描线一一对应电连接,其中,i,j为正整数,1≤i≤m,1≤j≤n;各扫描线形成在第一金属层。
在一些实施例中,显示面板还包括第三金属层;n条数据线中,存在n1条数据线形成在第二金属层,n2条数据线形成在第三金属层;其中,0≤n1、n2≤n,且n1+n2=n。
在一些实施例中,m条栅极驱动引线中,存在m1条栅极驱动引线形成在第二金属层,m2条栅极驱动引线线形成在第三金属层;其中,0≤m1、m2≤m,且m1+m2=m。
在一些实施例中,第一金属层、第二金属层、第三金属层之间形成有绝缘层,绝缘层上开设有多个通孔;各栅极驱动引线与对应的扫描线通过通孔电连接。
在一些实施例中,形成在第三金属层的n2条数据线通过通孔与各薄膜晶体管的源极电连接。
在一些实施例中,像素电极阵列形成在显示面板的第一导体层;其中,第一金属层和第二金属层形成在第一导体层的同一侧。
在一些实施例中,m≥n;第二金属层中,任意两条数据线之间形成有至少一条栅极驱动引线,且第三金属层中,任意两条数据线之间形成有至少一条栅极驱动引线。
在一些实施例中,m≤n;第二金属层中,任意两条栅极驱动引线之间形成有至少一条数据线,且第三金属层中,任意两条栅极驱动引线之间形成有至少一条数据线。
在一些实施例中,显示面板沿着第二方向延伸的边框区域包括相对的第一边框区域和第二边框区域;栅极驱动电路包括多个第一栅极驱动单元和多个第二栅极驱动单元;其中,第一栅极驱动单元形成在第一边框区域,第二栅极驱动单元形成在第二边框区域。
在一些实施例中,显示面板还包括有源层,薄膜晶体管阵列中的各薄膜晶体管还包括形成于有源层的沟道,各沟道用于连接该薄膜晶体管的源极和漏极;薄膜晶体管阵列中,第i行第j列的薄膜晶体管与第i行第j+1列的薄膜晶体管关于第二方向镜像对称。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门天马微电子有限公司,未经厦门天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201720229343.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种结构改进的皮带轮
- 下一篇:一种煤挥发分测定用坩埚架夹取工具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的