[实用新型]半导体制冷片有效
| 申请号： | 201720231208.3 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN206497902U | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 罗航宇 | 申请（专利权）人： | 四川中光高技术研究所有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/10 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 杨立,张帆 |
| 地址： | 610000 四川省成都市锦*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 | ||
1.一种半导体制冷片，其特征在于：包括两个层叠设置的金属基板(1)以及设置于两个所述金属基板(1)之间的多个半导体制冷晶粒(3)，所述半导体制冷晶粒(3)均呈柱状，且多个所述半导体制冷晶粒(3)呈矩阵排列；所述金属基板(1)靠近所述半导体制冷晶粒(3)的侧面均固定设置有多个导流金属片(8)，多个所述半导体制冷晶粒(3)通过多个所述导流金属片(8)串联电连接；所述半导体制冷晶粒(3)的端部均通过焊接物料与对应的所述导流金属片(8)焊接，所述导流金属片(8)的侧面上与对应的所述半导体制冷晶粒(3)焊接的区域设有向远离所述半导体制冷晶粒(3)方向凹陷的凹陷部(2)；所述凹陷部(2)的凹陷深度小于所述导流金属片(8)的厚度，所述凹陷部(2)的最大横截面面积小于对应的所述半导体制冷晶粒(3)的横截面面积。
2.根据权利要求1所述的半导体制冷片，其特征在于：所述半导体制冷晶粒(3)均呈圆柱状或方柱状。
3.根据权利要求1所述的半导体制冷片，其特征在于：所述导流金属片(8)与所述金属基板(1)靠近所述半导体制冷晶粒(3)的侧面焊接或粘接。
4.根据权利要求1所述的半导体制冷片，其特征在于：所述焊接物料为焊锡材料。
5.根据权利要求1所述的半导体制冷片，其特征在于：所述凹陷部(2)呈不规则几何形状。
6.根据权利要求1所述的半导体制冷片，其特征在于：所述凹陷部(2)呈规则几何形状。
7.根据权利要求6所述的半导体制冷片，其特征在于：所述凹陷部(2)呈凹形弧面状或圆锥状。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体制冷片，其特征在于：所述金属基板(1)包括依次层叠设置的金属散热板层(4)和绝缘材料保护层，所述绝缘保护层靠近所述导流金属片(8)一侧设置。
9.根据权利要求8所述的半导体制冷片，其特征在于：所述绝缘材料保护层包括依次层叠设置的绝缘防氧化材料层(5)、绝缘导热材料层(6)和绝缘材料隔层(7)，所述绝缘材料隔层(7)靠近所述导流金属片(8)一侧设置。
10.根据权利要求9所述的半导体制冷片，其特征在于：所述绝缘防氧化材料层(5)为金属氧化膜，所述绝缘导热材料层(6)为绝缘导热氧化膜，所述绝缘材料隔层(7)为氧化膜。
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