[实用新型]半导体制冷片

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子元器件领域，尤其涉及一种半导体制冷片。

背景技术

随着电子技术飞速发展，电子元器件生产和制造过程中，基于快速生产和安装工艺要求越来越严格，提出一种新的思路和安装工艺方法，解决生产效率和生产工艺，是非常必要和迫切的。

半导体制冷片是一种固态制冷器件，由若干对N-P温差电元件组成，利用温差电材料的帕尔帖效应(Peltier effect)；当通直流电时，制冷片的一面吸收热量，另一面放出热量，从而实现制冷的目的；该制冷方式具有无机械运动部件，无制冷剂和环保型的结构简单的特点。

目前，半导体制冷片种类繁多，有TEC系列、TEM系列、TES系列、TEF系列等，市面应用较成熟。随着电子技术的飞速发展，采用金属材质基板代替传统陶瓷基板，作为新型制冷片基板正在高速发展中。

传统的基板结构是导流片表面平整光滑，焊接时直接将元件放上，这样容易出现漏焊、空焊及焊接面出现孔洞等现象。由于各个厂家和研究单位，对温差制冷片制造工艺水平参差不齐，造成温差制冷产品良莠不齐，这也是限制制冷片被广泛应用的因素之一。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种生产制造简单便捷、焊接效果好、产品质量好、制冷效率高的半导体制冷片。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：

一种半导体制冷片，包括两个层叠设置的金属基板以及设置于两个所述金属基板之间的多个半导体制冷晶粒，所述半导体制冷晶粒均呈柱状，且多个所述半导体制冷晶粒呈矩阵排列；所述金属基板靠近所述半导体制冷晶粒的侧面均固定设置有多个导流金属片，多个所述半导体制冷晶粒通过多个所述导流金属片串联电连接；所述半导体制冷晶粒的端部均通过焊接物料与对应的所述导流金属片焊接，所述导流金属片的侧面上与对应的所述半导体制冷晶粒焊接的区域设有向远离所述半导体制冷晶粒方向凹陷的凹陷部；所述凹陷部的凹陷深度小于所述导流金属片的厚度，所述凹陷部的最大横截面面积小于对应的所述半导体制冷晶粒的横截面面积。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型产品生产制造简单便捷,由于导流金属片上设计的凹陷部，半导体制冷晶粒元件与导流金属片焊接时，位于半导体制冷晶粒元件与导流金属片之间的焊接物料也会存在于凹陷部，不但能够增加半导体制冷晶粒元件与导流金属片之间焊接物料的张力，使得半导体制冷晶粒元件与导流金属片之间的连接更加牢固，焊接效果更好，而且能够有效避免出现漏焊、空焊及焊接面出现孔洞等现象，焊接后产品质量更好、制冷效率更高。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

作为本实用新型的一种优选实施方式，所述半导体制冷晶粒均呈圆柱状或方柱状。

采用上述优选方案的有益效果是：既更加方便半导体制冷晶粒的生产加工，方便对半导体制冷晶粒的两端进行焊接，提高焊接效率和质量，又更加方便半导体制冷晶粒按照矩阵排列，有效实现半导体制冷晶粒的制冷效果。

作为本实用新型的另一种优选实施方式，所述导流金属片与所述金属基板靠近所述半导体制冷晶粒的侧面焊接或粘接。

采用上述优选方案的有益效果是：导流金属片与金属基板连接时更加简单便捷，连接后更加牢靠，产品质量更好。

作为本实用新型的另一种优选实施方式，所述焊接物料为焊锡材料。

采用上述优选方案的有益效果是：使用焊锡材料焊接不但质量更好，而且导电性更好。

作为本实用新型的另一种优选实施方式，所述凹陷部呈不规则几何形状。

采用上述优选方案的有益效果是：凹陷部的形状不定，生产加工更加灵活多变，对加工工艺要求更低。

作为本实用新型的另一种优选实施方式，所述凹陷部呈规则几何形状。

采用上述优选方案的有益效果是：凹陷部的形状具有规则性，更加方便厂家批量生产加工，并且焊接物料进入凹陷部后产生的张力更加均匀，容易把控。

作为本实用新型的另一种优选实施方式，所述凹陷部呈凹形弧面状或圆锥状。

采用上述优选方案的有益效果是：不但生产加工更加简单便捷，而且焊接物料进入凹陷部后产生的张力更强，更加节省焊接物料的使用量。

作为本实用新型的另一种优选实施方式，所述金属基板包括依次层叠设置的金属散热板层和绝缘材料保护层，所述绝缘保护层靠近所述导流金属片一侧设置。