[实用新型]阵列基板、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、设置在所述衬底基板一侧的多个薄膜晶体管，以及设置在所述薄膜晶体管与所述衬底基板之间的遮光结构；

所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括重掺杂区、轻掺杂区和沟道区；

所述遮光结构向所述有源层的正投影至少覆盖所述薄膜晶体管的轻掺杂区、沟道区、部分重掺杂区；

所述遮光结构的边缘包括倾角区，所述有源层包括形成在所述倾角区上方的过渡区；所述过渡区位于所述重掺杂区。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一导体层和第二导体层，所述薄膜晶体管还包括栅极、源极/漏极，其中所述栅极沿第一方向延伸；

所述栅极设置于所述第一导体层，且覆盖所述沟道区的位置；所述栅极与所述沟道区之间设置有栅极绝缘层；

所述源极/漏极设置于所述第二导体层，且覆盖部分所述重掺杂区；所述栅极与所述源极/漏极之间设置有绝缘层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述重掺杂区包括源极区和漏极区，所述有源层包括多个过渡区；

至少一个过渡区位于所述源极区和/或至少一个过渡区位于所述漏极区。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述重掺杂区包括第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区分别位于所述沟道区的相对两侧；

所述遮光结构包括第一部分和第二部分，

所述第一部分向所述有源层的投影覆盖部分第一重掺杂区、部分第二重掺杂区及沟道区，所述第二部分向所述有源层的投影覆盖部分第二重掺杂区；

所述第一部分具有沿所述第一方向的第一宽度，所述第二部分具有沿所述第一方向的第二宽度；

其中，所述第二宽度小于所述第一宽度。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二宽度为K，所述沟道区具有沿第一方向的第三宽度L；其中

K-L≥2μm。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光结构倾角区的倾角θ满足：16°＜θ＜26°。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述过渡区的晶粒的尺寸小于所述重掺杂区内、所述过渡区之外的区域内的晶粒的尺寸。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光结构的厚度T满足：300nm＜T＜1500nm。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-8任意一项所述的阵列基板；

所述显示面板还包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的显示面板以及背光源，其中所述背光源设置在所述显示面板的阵列基板远离所述彩膜基板的一侧。