[实用新型]阵列基板、显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本公开一般涉及显示技术，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

通常液晶显示面板中主要包括阵列基板、彩膜基板和液晶层。其中阵列基板包括多个薄膜晶体管、多个像素电极以及每个像素电极对应的存储电容。每一个薄膜晶体管用于向其对应的像素电极的存储电容提供电压信号以驱动该像素电极对应的液晶旋转一定角度从而使得显示面板显示图像。

在显示面板加电工作时，每一个薄膜晶体管打开时向其对应的像素电极提供电压信号；在每一个薄膜晶体管关闭时像素电极对应的存储电容保持该电压信号直至下一次薄膜晶体管再次打开。理想中的薄膜晶体管可以视为一个开关，在其关闭时无漏电流，这样存储电容上的电压信号无损失。而实际中，在薄膜晶体管关闭状态下，由于光线的照射而产生的漏电流会引起存储在存储电容上的电压信号发生损失，从而使得显示面板在显示图像时亮度变暗，影响显示效果。

实用新型内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，旨在解决现有技术中存在的至少一个技术问题。

第一方面，本申请提供了一种阵列基板，阵列基板包括衬底基板、设置在衬底基板一侧的多个薄膜晶体管，以及设置在薄膜晶体管与衬底基板之间的遮光结构；薄膜晶体管包括有源层，有源层包括重掺杂区、轻掺杂区和沟道区；遮光结构向有源层的正投影至少覆盖薄膜晶体管的轻掺杂区、沟道区、部分重掺杂区；遮光结构的边缘包括倾角区，有源层包括形成在倾角区上方的过渡区；过渡区位于重掺杂区。

可选的，阵列基板还包括第一导体层和第二导体层，薄膜晶体管还包括栅极、源极/漏极，其中栅极沿第一方向延伸；栅极设置于第一导体层，且覆盖沟道区的位置；栅极与沟道区之间设置有栅极绝缘层；源极/漏极设置于第二导体层，且覆盖部分重掺杂区；栅极与源/漏极之间设置有绝缘层。

可选的，重掺杂区包括源极区和漏极区，有源层包括多个过渡区；至少一个过渡区位于源极区和/或至少一个过渡区位于漏极区。

可选的，重掺杂区包括第一重掺杂区和第二重掺杂区，第一重掺杂区和第二重掺杂区分别位于沟道区的相对两侧；遮光结构包括第一部分和第二部分，第一部分向有源层的投影覆盖部分第一重掺杂区、部分第二重掺杂区及沟道区，第二部分向有源层的投影覆盖部分第二重掺杂区；第一部分具有沿第一方向的第一宽度，第二部分具有沿第一方向的第二宽度；其中，第二宽度小于第一宽度。

可选的，第二宽度为K，沟道区具有沿第一方向的第三宽度L；其中K-L≥2μm。

可选的，遮光结构倾角区的倾角θ满足：16°＜θ＜26°。

可选的，过渡区的晶粒的尺寸小于重掺杂区内、过渡区之外的区域内的晶粒的尺寸。

可选的，所述遮光结构的厚度T满足：300nm＜T＜1500nm。

第二方面，本申请提供了一种显示面板，该显示面板包括上述阵列基板，显示面板还包括与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。

第三方面，本申请提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

本申请的方案，通过优化遮光结构，使得有源层的过渡区位于薄膜晶体管的重掺杂区，从而具有较多晶界的有源层的过渡区远离薄膜晶体管的轻掺杂区和沟道区，可以降低由于过渡区与轻掺杂区交叠造成的漏电流，从而可以改善由于漏电流引起的存储电容上的电压信号损失造成的显示面板显示亮度变暗的现象。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1示出了现有阵列基板的一种结构示意图；

图2示出了图1所示薄膜晶体管的过渡区的局部平面放大示意图；

图3示出了图1所示阵列基板中薄膜晶体管的一种平面结构示意图；

图4A示出了本申请实施例提供的一种阵列基板的截面结构示意图；

图4B示出了图4A所示阵列基板中薄膜晶体管的平面结构示意图及薄膜晶体管与遮光结构的相对位置关系示意图；

图5示出了本申请实施例提供的另一种阵列基板中薄膜晶体管的平面结构示意图及薄膜晶体管与遮光结构的相对位置关系示意图；

图6示出了本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图7示出了本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式