[实用新型]一种储能DC/DC变换器结构有效
申请号: | 201720259685.0 | 申请日: | 2017-03-16 |
公开(公告)号: | CN206524754U | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 赵翔;王云松;周飞 | 申请(专利权)人: | 北京能高自动化技术股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H05K7/20 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人: | 王喆 |
地址: | 100044 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dc 变换器 结构 | ||
1.一种储能DC/DC变换器结构,所述变换器包括柜体,其特征在于,所述柜体内包括:
排风腔室;
高功耗器件腔室;
低功耗器件腔室;
用于连通高功耗器件腔室与排风腔室的高功耗风道;以及
用于连通低功耗器件腔室与排风腔室的低功耗风道;
所述柜体上设有:
与高功耗器件腔室连通的高功耗进风口;及
与低功耗器件腔室连通的低功耗进风口;
所述高功耗进风口、高功耗器件腔室及高功耗风道构成所述变换器的高功耗器件散热风道;
所述低功耗进风口、低功耗器件腔室及低功耗风道构成所述变换器的低功耗器件散热风道。
2.根据权利要求1所述的一种储能DC/DC变换器结构,其特征在于,
所述柜体内还包括电抗器件腔室,该电抗器件腔室通过高功耗风道与排风腔室连通设置,且柜体上设有与电抗器件腔室连通的电抗进风口。
3.根据权利要求1所述的一种储能DC/DC变换器结构,其特征在于,
所述高功耗器件腔室内设有至少两组高功耗器件,每组高功耗器件对应配置一高功耗风道。
4.根据权利要求1所述的一种储能DC/DC变换器结构,其特征在于,
所述高功耗风道的进风口与高功耗器件腔室内所设高功耗器件的散热器配合设置。
5.根据权利要求3所述的一种储能DC/DC变换器结构,其特征在于,
与所述高功耗器件相对应的,每组高功耗器件对应配置一低功耗风道,且所述低功耗风道位于高功耗风道侧面。
6.根据权利要求1所述的一种储能DC/DC变换器结构,其特征在于,
所述变换器还包括:
位于所述柜体外顶部的与所述排风腔室相配合的风机组件。
7.根据权利要求2所述的一种储能DC/DC变换器结构,其特征在于,
所述排风腔室位于所述柜体顶部;
所述高功耗器件腔室位于所述低功耗器件腔室上方;
所述电抗器件腔室位于所述低功耗器件腔室后方。
8.根据权利要求2所述的一种储能DC/DC变换器结构,其特征在于,
所述高功耗进风口和低功耗进风口均设置在所述柜体的柜门上;
所述电抗进风口位于所述柜体的底部。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置