[实用新型]一种用于TDD‑LTE系统的双向变频器

权利要求书

1.一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，其特征在于：包括数字上变频器模块(10)和数字下变频器模块(20)，所述数字上变频器模块(10)的输入端、输出端分别作为本双向变频器的中频输入端、射频输出端，所述数字下变频器模块(20)的输入端、输出端分别作为本双向变频器的射频输入端、中频输出端，所述数字上变频器模块(10)和数字下变频器模块(20)的输入端均连接同一个压控振荡器组件(30)。

2.如权利要求1所述的一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，其特征在于：所述数字上变频器模块(10)包括第一衰减单元(11)、混频单元(12)、放大滤波单元(13)、第二衰减单元(14)，所述第一衰减单元(11)的输入端作为本双向变频器的中频输入端，第一衰减单元(11)的输出端连接混频单元(12)的输入端，所述混频单元(12)的输出端连接放大滤波单元(13)的输入端，所述放大滤波单元(13)的输出端连接第二衰减单元(14)的输入端，所述第二衰减单元(14)的输出端作为本双向变频器的射频输出端。

3.如权利要求2所述的一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，其特征在于：所述第一衰减单元(11)为π型衰减器，第一衰减单元(11)包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)以及第三电阻(R3)，所述第一电阻(R1)的一端连接第二电阻(R2)的一端并作为本双向变频器的中频输入端，第一电阻(R1)的另一端分别连接第三电阻(R3)的一端以及混频单元(12)的输入端，所述第二电阻(R2)的另一端、第三电阻(R3)的另一端均接地。

4.如权利要求3所述的一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，其特征在于：所述混频单元(12)包括平衡混频器，所述平衡混频器的一个输入端连接第一电容(C1)的一端，所述第一电容(C1)的另一端连接第三电阻(R3)的一端，平衡混频器的另一个输入端连接压控振荡器组件(30)的输出端，平衡混频器的输出端连接第二电容(C2)的一端，所述第二电容(C2)的另一端连接放大滤波单元(13)的输入端。

5.如权利要求4所述的一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，其特征在于：所述放大滤波单元(13)包括第一放大器(A1)、第二放大器(A2)以及滤波器，所述第一放大器(A1)的输入端分别连接第四电阻(R4)的一端、第二电容(C2)的另一端，第一放大器(A1)的输出端分别连接第一电感(L1)的一端、第三电容(C3)的一端，所述第三电容(C3)的另一端连接滤波器的输入端，所述滤波器的输出端分别连接第五电阻(R5)的一端、第二放大器(A2)的输入端，所述第二放大器(A2)的输出端分别连接第二电感(L2)的一端、第四电容(C4)的一端，所述第四电阻(R4)的另一端、第一电感(L1)的另一端、第五电阻(R5)的另一端、第二电感(L2)的另一端均连接电源，所述第四电容(C4)的另一端连接第二衰减单元(14)的输入端。

6.如权利要求5所述的一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，其特征在于：所述第二衰减单元(14)为π型衰减器，第二衰减单元(14)包括第六电阻(R6)、第七电阻(R7)以及第八电阻(R8)，所述第六电阻(R6)的一端连接第七电阻(R7)的一端以及第四电容(C4)的另一端，第六电阻(R6)的另一端连接第八电阻(R8)的一端并作为本双向变频器的射频输出端，所述第七电阻(R7)的另一端、第八电阻(R8)的另一端均接地。

7.如权利要求6所述的一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，其特征在于：所述数字下变频器模块(20)的电路结构与数字上变频器模块(10)的电路结构相同。