[实用新型]一种用于TDD‑LTE系统的双向变频器

说明书

技术领域

本实用新型属于电子技术领域，特别涉及一种用于TDD-LTE系统的双向变频器。

背景技术

双向变频器由上变频器和下变频器组成，上下变频器为频率转移部件，混频器通常对本振信号和二次以上的谐波信号具有很好的抑制功能。

传统的双向变频器的相位噪声通常能够达到-80db，但是结构复杂、工作不稳定，因此亟需提出一种工作稳定、结构简单的双向变频器。

实用新型内容

本实用新型为了克服上述现有技术的不足，提供了一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，本实用新型提供了一种工作稳定、结构简单的双向变频器，可被广泛的应用在TDD-LTE系统中。

为实现上述目的，本实用新型采用了以下技术措施：

一种用于TDD-LTE系统的双向变频器包括数字上变频器模块和数字下变频器模块，所述数字上变频器模块的输入端、输出端分别作为本双向变频器的中频输入端、射频输出端，所述数字下变频器模块的输入端、输出端分别作为本双向变频器的射频输入端、中频输出端，所述数字上变频器模块和数字下变频器模块的输入端均连接同一个压控振荡器组件。

本实用新型还可以通过以下技术措施进一步实现。

优选的，所述数字上变频器模块包括第一衰减单元、混频单元、放大滤波单元、第二衰减单元，所述第一衰减单元的输入端作为本双向变频器的中频输入端，第一衰减单元的输出端连接混频单元的输入端，所述混频单元的输出端连接放大滤波单元的输入端，所述放大滤波单元的输出端连接第二衰减单元的输入端，所述第二衰减单元的输出端作为本双向变频器的射频输出端。

优选的，所述第一衰减单元为π型衰减器，第一衰减单元包括第一电阻、第二电阻以及第三电阻，所述第一电阻的一端连接第二电阻的一端并作为本双向变频器的中频输入端，第一电阻的另一端分别连接第三电阻的一端以及混频单元的输入端，所述第二电阻的另一端、第三电阻的另一端均接地。

优选的，所述混频单元包括平衡混频器，所述平衡混频器的一个输入端连接第一电容的一端，所述第一电容的另一端连接第三电阻的一端，平衡混频器的另一个输入端连接压控振荡器组件的输出端，平衡混频器的输出端连接第二电容的一端，所述第二电容的另一端连接放大滤波单元的输入端。

进一步的，所述放大滤波单元包括第一放大器、第二放大器以及滤波器，所述第一放大器的输入端分别连接第四电阻的一端、第二电容的另一端，第一放大器的输出端分别连接第一电感的一端、第三电容的一端，所述第三电容的另一端连接滤波器的输入端，所述滤波器的输出端分别连接第五电阻的一端、第二放大器的输入端，所述第二放大器的输出端分别连接第二电感的一端、第四电容的一端，所述第四电阻的另一端、第一电感的另一端、第五电阻的另一端、第二电感的另一端均连接电源，所述第四电容的另一端连接第二衰减单元的输入端。

进一步的，所述第二衰减单元为π型衰减器，第二衰减单元包括第六电阻、第七电阻以及第八电阻，所述第六电阻的一端连接第七电阻的一端以及第四电容的另一端，第六电阻的另一端连接第八电阻的一端并作为本双向变频器的射频输出端，所述第七电阻的另一端、第八电阻的另一端均接地。

更进一步的，所述数字下变频器模块的电路结构与数字上变频器模块的电路结构相同。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型包括数字上变频器模块和数字下变频器模块，所述数字上变频器模块和数字下变频器模块共用同一个压控振荡器组件，所述压控振荡器组件为本双向变频器提供本振源信号，第一衰减单元和第二衰减单元均为π型衰减器，混频单元包括平衡混频器，对本振信号和谐波信号有很好的抑制功能，放大滤波单元包括两级放大器，因此本实用新型的工作稳定、结构简单，可被广泛的应用在TDD-LTE系统中。

附图说明

图1为本实用新型的电路结构框图；

图2为本实用新型的电路原理图。

图中的附图标记含义如下：

10—数字上变频器模块11—第一衰减单元12—混频单元

13—放大滤波单元14—第二衰减单元20—数字下变频器模块

30—压控振荡器组件R1～R8—第一电阻～第八电阻

C1～C4—第一电容～第四电容A1、A2—第一放大器、第二放大器

L1、L2—第一电感、第二电感

具体实施方式