[实用新型]一种双向对称的TVS二极管有效
| 申请号： | 201720267536.9 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN206742245U | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 徐远 | 申请（专利权）人： | 苏州矽航半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 董建林,胡益萍 |
| 地址： | 215011 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双向 对称 tvs 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种双向对称的TVS二极管，其特征在于，包括：
P+衬底；
N-外延层，形成于所述P+衬底上；
P阱区，形成于所述N-外延层中；
P+注入区，形成于所述P阱区中；
两个N+注入区，每个所述N+注入区均形成于所述P+注入区中；
多个沟槽，每个所述沟槽均形成于所述N-外延层中并延伸至所述P+衬底中；
氧化层，形成于所述N-外延层上；
金属层，形成于所述氧化层上。
2.根据权利要求1所述的一种双向对称的TVS二极管，其特征在于：所述P+衬底的电阻率为0.014-0.020ohm.cm。
3.根据权利要求1所述的一种双向对称的TVS二极管，其特征在于：所述N-外延层的电阻率为150ohm.cm，所述N-外延层的厚度为7.3μm。
4.根据权利要求1所述的一种双向对称的TVS二极管，其特征在于：所述P+注入区的深度为1.5μm。
5.根据权利要求1所述的一种双向对称的TVS二极管，其特征在于：所述沟槽的深度为7.5μm。
6.根据权利要求1所述的一种双向对称的TVS二极管，其特征在于：所述氧化层的厚度为2μm。
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