[实用新型]实时测量紫外光强度的硅片光刻机

说明书

技术领域

本申请涉及一种光刻机，特别是涉及一种实时测量紫外光强度的硅片光刻机，可以应用于微流控芯片模具制作。

背景技术

光刻工艺(photoetching)是微流控芯片模具制作的重要过程，一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序，其中对准曝光工序需要用光刻机，光刻机/紫外曝光机(Mask Aligner)又名掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。

光刻机使用过程中紫外光源的强度会逐渐辐射衰减，会对曝光成功率有较大的影响，现在的光刻机一般通过外置的设备进行测试，且设备价格昂贵，且不能及时更换光源。

光刻机操作过程包括开机准备、点亮汞灯、开启控制电源、上掩膜、对准曝光、关机，在曝光时，紫外线会对人体产生较大的伤害，因此设置防护措施是必要的。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种实时测量紫外光强度的硅片光刻机，以实时测量紫外光的强度，提高曝光成功率，并设置保护系统，避免紫外光对人体和环境造成伤害。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

本申请实施例公开了一种实时测量紫外光强度的硅片光刻机，包括紫外光遮罩体，该紫外光遮罩体具有一光刻腔体，所述光刻腔体内上下依次设置有照明系统、掩膜台系统和自动对准系统，所述照明系统包括紫外光源和紫外辐射照计模块，所述紫外光遮罩体上设置有操作面板，所述紫外辐射照计模块连接于所述照明系统，该操作面板包括紫外线强度显示窗口，所述紫外光遮罩体开设有样品取置窗口，该取置窗口遮盖有紫外光隔离门。

优选的，在上述的实时测量紫外光强度的硅片光刻机中，所述紫外光隔离门的一端转动连接于所述紫外光遮罩体。

优选的，在上述的实时测量紫外光强度的硅片光刻机中，所述紫外辐射照计模块通过挂钩装置设置于紫外光源下方。

优选的，在上述的实时测量紫外光强度的硅片光刻机中，所述紫外辐射照计模块的探头传感器窗口指向所述紫外光源。

优选的，在上述的实时测量紫外光强度的硅片光刻机中，所述紫外辐射照计模块测量光谱响应满足：中心点254nm，带宽230nm～280nm，量程0～8000uW/cm²，测量精度：±10％。

优选的，在上述的实时测量紫外光强度的硅片光刻机中，所述操作面板输入方式采用按键或触摸屏。

优选的，在上述的实时测量紫外光强度的硅片光刻机中，所述操作面板至少包括曝光、上升、曝光时间的参数设置模块。

优选的，在上述的实时测量紫外光强度的硅片光刻机中，所述紫外光遮罩体设置于一减震工作台上，该减震工作台的底部设置有多个弹性脚垫。

优选的，在上述的实时测量紫外光强度的硅片光刻机中，所述减震工作台上设置有总电源开关和汞灯光源开关。

优选的，在上述的实时测量紫外光强度的硅片光刻机中，所述掩膜台系统连接真空泵。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本新型在光源附近设置紫外辐射照计模块，用于实时测量和查看紫外线的强度，比现有的光刻机增加了光强参数，具有及时更换紫外灯，增加了曝光的成功率的优势，另外，本新型的光刻机设置了保护系统，避免了曝光过程中紫外光对人体及环境产生伤害，具有人性化、绿色的优点。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为本实用新型具体实施例中光刻机的结构示意图；

图2所示为本实用新型具体实施例中操作界面示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。