[实用新型]光罩及检测结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光罩及检测结构。

背景技术

在光刻工艺中显影之后产生的残留物，需要被清洗干净。通常可以采用清洗工具(rinse)来进行清洗。

但是，如何确保晶圆的旋转(也即是清洗工具的旋转)处于正常的转速范围内，尚不能够被监测到。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种光罩及检测结构，实现对清洗工具旋转的检测。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种光罩，包括第一模块区、第二模块区和第三模块区，所述第二模块区围绕所述第一模块区，所述第三模块区围绕所述第二模块区，所述第三模块区包括多个不同线宽的线条，所述第二模块区的线宽大于第三模块区中线条的最大线宽。

可选的，对于所述的光罩，所述第一模块区位于所述光罩的中央。

可选的，对于所述的光罩，所述第一模块区包括多个矩形，相邻矩形之间的间距小于所述矩形的边长。

可选的，对于所述的光罩，所述第二模块区为一环形，所述环形的宽度大于等于2μm。

可选的，对于所述的光罩，所述第二模块区为方环形。

可选的，对于所述的光罩，所述第三模块区包括4个相同的部分，4个所述部分分别排布在所述第二模块区四周。

可选的，对于所述的光罩，每个所述部分的线条均按顺时针排列。

可选的，对于所述的光罩，每个所述部分中，所述线条的线宽均按顺时针依次增大或减小。

可选的，对于所述的光罩，相邻线条之间的间距为最小线条线宽的10倍以上。

可选的，对于所述的光罩，所述第三模块区与第二模块区相连接。

本实用新型还提供一种检测结构，包括：第一模块、第二模块和第三模块，所述第二模块围绕所述第一模块，所述第三模块围绕所述第二模块，所述第三模块包括多个不同线宽的线条，所述第二模块的线宽大于第三模块中线条的最大线宽。

可选的，对于所述的检测结构，所述第一模块包括多个长方体，相邻长方体之间的间距小于所述长方体的边长。

可选的，对于所述的检测结构，所述第二模块为一环形结构，所述环形结构的宽度大于等于2μm。

可选的，对于所述的检测结构，所述第二模块为方环形结构。

可选的，对于所述的检测结构，所述第三模块包括4个相同的部分，4个所述部分分别排布在所述第二模块四周。

可选的，对于所述的检测结构，每个所述部分的线条均按顺时针排列。

可选的，对于所述的检测结构，每个所述部分中，所述线条的线宽均按顺时针依次增大或减小。

可选的，对于所述的检测结构，相邻线条之间的间距为最小线条线宽的10倍以上。

可选的，对于所述的检测结构，所述第三模块与第二模块相连接。

本实用新型提供的光罩，包括第一模块区、第二模块区和第三模块区，所述第二模块区围绕所述第一模块区，所述第三模块区围绕所述第二模块区，所述第三模块区包括多个不同线宽的线条，所述第二模块区的线宽大于第三模块区中线条的最大线宽。由此获得的检测结构，能够依据清洗工具转速的不同而黏附不同的残留物缺陷，进而通过残留物缺陷的检测，可以获悉清洗工具转速的偏离情况，可以及时修正，以确保清洗工具转速的正确性。

附图说明

图1为一种清洗工具的示意图；

图2为本实用新型中光罩的结构示意图；

图3为本实用新型中检测结构的结构示意图；

图4为本实用新型中利用检测结构进行分析的示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的光罩及检测结构进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。