[实用新型]半导体测试结构有效
| 申请号： | 201720301547.4 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN206574709U | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王敏;何明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 | ||
1.一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构包括：
若干个间隔排布的有源区；
连接通孔，位于靠近各所述有源区两端的上方，且一端与所述有源区相连接；
第一金属层，与所述连接通孔远离所述有源区的一端相连接；
金属叠层结构，位于所述第一金属层上方，且与所述第一金属层相隔有间距；所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层至第N金属层，其中，N≥3；所述第二金属层至所述第N金属层均包括若干个间隔排布的金属块，所述金属块的数量与所述连接通孔的数量相同，且所述金属块与所述连接通孔一一上下对应分布。
2.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层至所述第N金属层中，相邻金属层之间的间距相等。
3.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述第一金属层至所述第N金属层中，相邻金属层之间的间距不等。
4.根据权利要求2或3所述的半导体测试结构，其特征在于：相邻所述金属层之间的间距大于或等于所述连接通孔的高度。
5.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：自所述半导体测试结构的一侧至相对的另一侧，各层所述金属层的金属块按由所述第二金属层中的所述金属块至所述第N层金属层中的所述金属块的顺序呈周期性排布。
6.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述金属块为正方柱形金属块或圆柱形金属块。
7.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述金属块的横向尺寸与所述连接通孔的横向尺寸相同。
8.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述半导体测试结构还包括介质层，所述介质层位于各层金属层之间及同一金属层的所述金属块之间。
9.根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于：所述有源区及所述连接通孔均呈阵列分布。
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