[实用新型]一种增加设备的存储容量的电路有效

专利信息
申请号: 201720322918.7 申请日: 2017-03-30
公开(公告)号: CN206757584U 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 张亚洲 申请(专利权)人: 深圳市顺盟科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518108 广东省深圳市宝安区石岩*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 增加 设备 存储容量 电路
【权利要求书】:

1.一种增加设备的存储容量的电路,其特征在于:该电路包括多路高速模拟开关电路,所述多路高速模拟开关电路串接于CPU SD卡接口上,将多张SD卡分别串接入高速模拟开关电路对应的接口;

所述多路高速模拟开关电路包括高速模拟开关芯片,该芯片的COM引脚4为芯片的公共引脚,NO引脚1、NC引脚3分别是两个通路的IO口,由芯片的IN引脚6高低电平对NO引脚1、NC引脚3的选择,进而对SD卡的切换控制。

2.根据权利要求1所述的一种增加设备的存储容量的电路,其特征在于:所述高速模拟开关电路包括控制总开关电路(101)、第1个SD卡电源控制开关电路(102)、第n个SD卡电源控制开关电路、n路数据控制开关电路(104);

所述控制总开关电路(101)包括N-MOS管Q16及与N-MOS管Q16连接的电阻R73、电阻R74,所述电阻R73另一端连接3.3V VCC电源输入端,电阻R74另一端连接SD卡上的CARD_EN脚、DSP_CARD_EN脚;

所述第1个SD卡电源控制开关电路(102)与第n个SD卡电源控制开关电路相同,其电源控制开关电路包括N-MOS管Q19、P-MOS管Q9、电阻R143、电阻R197、电容C109、电容C197、电容C238,所述N-MOS管Q19与P-MOS管Q9之间连接电阻R197,所述P-MOS管Q9分别并联电阻R143、电容C238,其与电容C109、电容C197串联;

所述n路数据控制开关电路(104)包括n个SGM3157高速开关芯片、与SGM3157高速开关芯片数量对应的电容,各电容组成滤波电路,每个SGM3157高速开关芯片的IN引脚6相连,该IN引脚6连接SD卡CARD_EN输入端,SGM3157高速开关芯片的VCC引脚5连接电容,每电容的另一端相互连接,连接后与SGM3157高速开关芯片的GND引脚2相连。

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