[实用新型]一种增加设备的存储容量的电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及存储卡技术领域，具体的说是涉及一种增加设备的存储容量的电路。

背景技术

随着消费电子产业的蓬勃发展，SD卡成为了消费电子产品必不可少的附属器件。尤其在视频行业，从早几年流行的1080P、1440P，再到现在的4K大行其道。越来越高清晰度的影像质量，对SD的存储容量要求也是越来越高，手机等绝大多少的消费电子产品都可支持最大128G的Micro-SD卡。但是，对于运动相机、行车记录仪这类为时时录影设备而言，这128G的存储容量也是捉襟见肘的。

实用新型内容

针对现有技术中的不足，本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种增加设备的存储容量的电路，该电路能够解决上述SD卡容量不能满足使用的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型通过以下方案来实现：一种增加设备的存储容量的电路，该电路包括多路高速模拟开关电路，所述多路高速模拟开关电路串接于CPU SD卡接口上，将多张SD卡分别串接入高速模拟开关电路对应的接口；

所述多路高速模拟开关电路包括高速模拟开关芯片，该芯片的COM引脚4为芯片的公共引脚，NO引脚1、NC引脚3分别是两个通路的IO口，由芯片的IN引脚6高低电平对NO引脚1、NC引脚3的选择，进而对SD卡的切换控制。

进一步的，所述高速模拟开关电路包括控制总开关电路、第1个SD卡电源控制开关电路、第n个SD卡电源控制开关电路、n路数据控制开关电路；

所述控制总开关电路包括N-MOS管Q16及与N-MOS管Q16连接的电阻R73、电阻R74，所述电阻R73另一端连接3.3V VCC电源输入端，电阻R74另一端连接SD卡上的CARD_EN脚、DSP_CARD_EN脚；

所述第1个SD卡电源控制开关电路与第n个SD卡电源控制开关电路相同，其电源控制开关电路包括N-MOS管Q19、P-MOS管Q9、电阻R143、电阻R197、电容C109、电容C197、电容C238，所述N-MOS管Q19与P-MOS管Q9之间连接电阻R197，所述P-MOS管Q9分别并联电阻R143、电容C238,其与电容C109、电容C197串联；

所述n路数据控制开关电路包括n个SGM3157高速开关芯片、与SGM3157高速开关芯片数量对应的电容，各电容组成滤波电路，每个SGM3157高速开关芯片的IN引脚6相连，该IN引脚6连接SD卡CARD_EN输入端，SGM3157高速开关芯片的VCC引脚5连接电容，每电容的另一端相互连接，连接后与SGM3157高速开关芯片的GND引脚2相连。

相对于现有技术，本实用新型的有益效果是：本实用新型增加设备的存储容量的电路的原理是：在CPU需满足SD卡热插拔功能的前提下，在CPU SD卡接口上串接入多路高速模拟开关，再将多张SD卡分别串接入高速模拟开关各路对应接口，并选择切换多张SD卡的存储工作状态，选择适合存储的SD卡对象，来实现增加设备存储容量的目的，即在电路中串接有多张SD卡。

附图说明

图1为本实用新型高速模拟开关工作示意图；

图2为本实用新型控制总开关电路图；

图3为本实用新型第1个SD卡电源控制开关电路；

图4为本实用新型第2个SD卡电源控制开关电路；

图5为本实用新型六路数据控制开关电路。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

本实用新型的一种增加设备的存储容量的电路，该电路包括多路高速模拟开关电路，所述多路高速模拟开关电路串接于CPU SD卡接口上，将多张SD卡分别串接入高速模拟开关电路对应的接口。

实施例：

以下是以两个SD卡为例说明本实用新型电路切换控制的工作原理。

如图1-5所示，所述多路高速模拟开关电路包括高速模拟开关芯片，该芯片的COM引脚4为芯片的公共引脚，NO引脚1、NC引脚3分别是两个通路的IO口，由芯片的IN引脚6高低电平对NO引脚1、NC引脚3的选择，进而对SD卡的切换控制。

所述高速模拟开关电路包括控制总开关电路101、第1个SD卡电源控制开关电路102、第2个SD卡电源控制开关电路103、六路数据控制开关电路104；