[实用新型]一种NORFlash存储组以及NORFlash存储模块

权利要求书

1.一种NOR Flash存储组，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的缓冲层；

位于所述缓冲层上远离所述衬底一侧的至少两个存储单元，至少两个所述存储单元堆叠设置；

其中，所述存储单元包括：

绝缘层；

位于所述绝缘层上的位线、导电沟道和源线，所述位线、导电沟道和源线依次堆栈设置于所述绝缘层上；

位于所述绝缘层上且分别位于所述位线、导电沟道和源线两侧的隧道电介质层；

位于所述绝缘层上且分别位于所述隧道电介质层远离所述位线、导电沟道和源线一侧的浮栅结构，所述浮栅结构的垂直投影位于所述绝缘层的垂直投影内；

位于所述绝缘层两侧且分别位于所述浮栅结构远离所述隧道电介质层一侧的阻断绝缘层；

分别位于所述阻断绝缘层远离所述浮栅结构一侧且包覆所述阻断绝缘层的控制栅结构。

2.根据权利要求1所述的NOR Flash存储组，其特征在于，所述NOR Flash存储组还包括位于最上层所述存储单元上的绝缘保护层。

3.根据权利要求1所述的NOR Flash存储组，其特征在于，所述隧道电介质层关于所述位线、导电沟道和源线轴对称。

4.根据权利要求1所述的NOR Flash存储组，其特征在于，所述浮栅结构 关于所述位线、导电沟道和源线轴对称。

5.根据权利要求1所述的NOR Flash存储组，其特征在于，所述浮栅结构的形状为侧凹字型。

6.根据权利要求1所述的NOR Flash存储组，其特征在于，所述浮栅结构的侧壁厚度为10-40nm。

7.根据权利要求1所述的NOR Flash存储组，其特征在于，所述隧道电介质层的侧壁厚度为2-15nm。

8.根据权利要求1所述的NOR Flash存储组，其特征在于，所述位线、导电沟道和源线的材料分别为n+型硅、p型硅和n+型硅；

或者，所述位线、导电沟道和源线的材料分别为p+型硅、n型硅以及p+型硅。

9.根据权利要求1所述的NOR Flash存储组，其特征在于，所述阻断绝缘层为ONO夹层结构。

10.一种NOR Flash存储模块，其特征在于，包括至少一行或者至少一列权利要求1-9任一项所述的NOR Flash存储组。