[实用新型]晶圆抛光工艺用的货架

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体加工工艺设备，尤其是一种晶圆抛光工艺用的货架结构。

背景技术

化学机械抛光（CMP）技术是晶片表面加工的关键技术之一，抛光可以改善晶片表面的粗糙度，降低晶片的TTV，在晶片表面实现超高的平整度，对于一些光学用晶片还能提高其对光的利用率。CMP过程是一个机械作用和化学作用相平衡的过程。如在硅晶片的抛光过程中，首先将晶片固定在抛光头上，在抛光头的压力下，由晶片的旋转、抛光盘的旋转造成晶片与抛光垫的摩擦。此时化学作用为碱性的抛光液与晶片表面接触发生腐蚀反应，晶片表面会被碱液腐蚀，摩擦则将该腐蚀层去除，通过循环这两个作用过程，就可以实现晶片的抛光。目前把晶片固定在抛光头上的方法主要有水表面张力吸附法（也叫模板法），多孔陶瓷式真空吸附法等。

在抛光结束后，抛好的晶圆要快速的洗掉表面的抛光残留液，以免抛光液腐蚀晶圆表面，造成污染和颜色异常，因此在实际抛光过程中，抛光结束立即把晶圆取出放入水槽中浸泡，然后再重新给抛光机上片，开始抛光。这样在取片的过程中如果时间过长，则晶圆表面就有被腐蚀的风险，同时取片时，抛光机待机，影响了产能。

发明内容

针对现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种晶圆抛光工艺用的货架，方便清洗晶圆表面的抛光残留液。本实用新型采用的技术方案是：

一种晶圆抛光工艺用的货架，包括：底板、前下盖板、后盖板、上盖板、进水管、排水管、第一喷淋头、载板、模板、和感应装置；

前下盖板竖立连接在底板前端，后盖板竖立连接在底板后端；载板斜向搁置在前下盖板上，向后盖板方向下倾斜；模板放置于载板上，并被载板前端表面设置的凸点所挡住；

后盖板的内侧连接第一喷淋头，外侧连接进水管；第一喷淋头位于模板上方；第一喷淋头上排布有喷水孔；所述第一喷淋头与进水管连接；在后盖板底部外侧还连接出水管；

上盖板与后盖板连接或独立设置，上盖板上设有感应装置。

进一步地，在后盖板下部内侧还设有一个或数个间隔设置的内凸起。

进一步地，第一喷淋头上喷水孔方向为向四周呈半球状喷淋。

进一步地，载板上设置卡槽，所述凸点置于卡槽内。

进一步地，所述货架还包括前上盖板和第二喷淋头；

前上盖板连接在上盖板上，并且在前上盖板上设置第二喷淋头。

进一步地，第二喷淋头上喷水孔方向为向四周呈半球状喷淋。

本实用新型的优点在于：

1）本实用新型的结构上面设有喷淋装置和感应装置，抛光结束后可以把模板和晶圆立即放入喷淋水下，可以延长晶圆的下片时间。

2）喷淋装置交叉喷水可以清洗晶圆，使晶圆从模板上下片后直接放入运载盒子里。

附图说明

图1为本实用新型的实施例一结构示意图。

图2为本实用新型的喷淋头示意图。

图3为本实用新型的载板、模板、凸点示意图。

图4为本实用新型的实施例二结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

实施例一；

本实施例提供的晶圆抛光工艺用的货架，如图1所示，包括：底板100、前下盖板113、后盖板101、上盖板104、进水管105、排水管108、第一喷淋头102、载板106、模板109、内凸起107和感应装置103；

前下盖板113竖立连接在底板100前端，后盖板101竖立连接在底板110后端；载板106斜向搁置在前下盖板113上，向后盖板101方向下倾斜；模板109放置于载板106上，并被载板106前端表面设置的凸点112所挡住；更优地，可以在载板106上设置卡槽111，所述凸点112置于卡槽111内；

模板109内用于容置晶圆110；

后盖板101的内侧连接第一喷淋头102，外侧连接进水管105；第一喷淋头102位于模板109上方；第一喷淋头102的高度可以调节；所述第一喷淋头102与进水管105连接；在后盖板101底部外侧还连接出水管108；

第一喷淋头102的结构如图2所示，第一喷淋头102上排布有喷水孔1021，喷水孔1021的数量为1～1000个，直径在50μ～1cm之间，其方向为向四周呈半球状喷淋；

载板106、模板109以及凸点112的设置参见图3；卡槽111对应每个模板109的数量至少为1:1；卡槽111形状可以为方形或圆形；卡槽111中放置凸点112，便于快速组装和拆卸；