[实用新型]晶圆测试结构

权利要求书

1.一种晶圆测试结构，其特征在于，包括：衬底，掺杂有第一类型的离子；

第一栅极，掺杂有所述第一类型的离子；离子注入层，掺杂有第二类型的离子，所述第二类型的离子与所述第一类型的离子掺杂类型相反，所述离子注入层位于所述衬底和所述第一栅极之间；源极、漏极，位于所述离子注入层中；

所述衬底、所述源极和所述第一栅极连接低电平，所述漏极连接高电平。

2.如权利要求1所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述衬底和所述第一栅极具有相同的电位，所述衬底是第二栅极。

3.如权利要求2所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述源极、所述衬底、所述第一栅极相互电连接。

4.如权利要求1所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述衬底与所述离子注入层之间形成有第一耗尽区，所述离子注入层与所述第一栅极之间形成有第二耗尽区。

5.如权利要求1所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述第一类型是P型，所述第二类型是N型。

6.如权利要求1所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述离子注入层包含重离子注入层和轻离子注入层。

7.如权利要求6所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述源极、漏极位于所述轻离子注入层。

8.如权利要求1所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述漏极上施加有第一电压，第一电压为固定值，所述源极和漏极之间有漏极电流。

9.如权利要求8所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述漏极电流值为小于等于0.5μA。

10.如权利要求8所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述源极上施加有第二电压，所述第二电压是逐步变换的。

11.如权利要求10所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述第二电压为0～-10V，改变量为-0.1V～-0.3V。

12.如权利要求1所述的晶圆测试结构，其特征在于，所述离子注入层中注入的离子是锑离子。