[实用新型]晶圆测试结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其是涉及一种晶圆测试结构。

背景技术

集成电路近些年蓬勃发展，其具有体积小、重量轻、可靠性高、性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高，随着科技的发展，集成电路具有越来越重要的地位。其采用氧化、光刻、扩散、外延等半导体制造工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶圆或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。

集成电路的制造过程中，工艺条件对产品的质量与性能有着至关重要的影响，因此，在制造中，在各阶段工艺中，会引入各种测试结构，以保证产品的性能稳定。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是提供一种晶圆测试结构，能够监控晶圆生产过程中离子注入工艺的温度条件。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种晶圆测试结构，包括：衬底，掺杂有第一类型的离子；第一栅极，掺杂有所述第一类型的离子；离子注入层，掺杂有第二类型的离子，所述第二类型的离子与所述第一类型的离子掺杂类型相反，所述离子注入层位于所述衬底和所述第一栅极之间；源极、漏极，位于所述离子注入层中。所述衬底、所述源极和所述第一栅极连接低电平，所述漏极连接高电平。

可选的，所述衬底和所述第一栅极具有相同的电位，所述衬底是第二栅极。

可选的，所述源极、所述衬底、所述第一栅极相互电连接。

可选的，所述衬底与所述离子注入层之间形成有第一耗尽区，所述离子注入层与所述第一栅极之间形成有第二耗尽区。

可选的，所述第一类型是P型，所述第二类型是N型。

可选的，所述离子注入层包含重离子注入层和轻离子注入层。

可选的，源极、漏极位于所述轻离子注入层。

可选的，所述漏极上施加有第一电压，第一电压为固定值，所述源极和漏极之间有漏极电流。

可选的，所述漏极电流值为小于等于0.5μA。

可选的，所述源极上施加有第二电压，所述第二电压是逐步变换的。

可选的，所述第二电压为0～-10V，改变量为-0.1V～-0.3V。

可选的，所述离子注入层中注入的离子是锑离子。

与现有技术相比，本实用新型实施例的技术方案具有以下有益效果：本实用新型的测试结构能够有效监控离子注入，尤其是离子高温扩散过程中的温度变化，从而控制离子扩散程度。本实用新型的晶圆测试结构不需要额外增加测试设备，相比于其他测量温度的方法，方便且成本低。

附图说明

图1是本实用新型一实施例一种晶圆测试电路示意图；

图2是本实用新型一实施例一种晶圆测试结构示意图；

图3-图6是本实用新型一实施例晶圆制造工艺步骤示意图。

图7是本实用新型测试数据图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的晶圆测试结构进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

如前文所述，在外延单晶硅层(EIP)制造工艺中，一般会伴随有离子注入工艺，例如掩埋层离子注入，掩埋层离子注入后需经过高温扩散(drive in)，为了测量离子注入或离子扩散工艺中的温度，本申请发明人提出以下晶圆测试结构。