[实用新型]微静脉血管病变治疗仪

权利要求书

1.一种微静脉血管病变治疗仪，其特征在于，其包括：

聚光腔，其包括同一光路的泵浦源和增益介质，

谐振腔，其对所述增益介质发出的光进行倍频；所述谐振腔包括同一光路的全反镜、调Q装置、倍频晶体、输出镜、光纤耦合透镜以及耦合光纤；所述调Q装置和所述倍频晶体分别位于所述增益介质对立的两个出光侧；

温控冷却系统，其分别设于所述聚光腔和所述倍频晶体，用于控制温度；

其中，所述增益介质是单掺Nd:YAG激光棒或双掺Nd:Ce:YAG激光棒，所述激光棒的两端以及圆柱面外层设有不掺Nd、Ce离子的纯YAG晶体；所述激光棒纯YAG晶体的两端还镀有1064nm波段透射率不小于99％介质膜。

2.如权利要求1所述的微静脉血管病变治疗仪，其特征在于，

所述激光棒两端的纯YAG晶体长度是5-20mm，所述激光棒圆柱面外层的纯YAG晶体厚度为内层掺杂晶体半径的1/3～2/3。

3.如权利要求2所述的微静脉血管病变治疗仪，其特征在于，

所述单掺Nd:YAG激光棒的Nd离子掺杂浓度是0.5％-2％；

所述双掺Nd:Ce:YAG激光棒的Nd离子掺杂浓度是0.5％-2％，Ce离子和Nd离子掺杂浓度比为1:10。

4.如权利要求1所述的微静脉血管病变治疗仪，其特征在于，

所述泵浦源是氙灯，所述氙灯包括单灯泵浦或双灯泵浦或三灯泵浦；或，

所述泵浦源是半导体激光器阵列，所述半导体激光器阵列包括单排泵浦或三排等间距泵浦。

5.如权利要求1所述的微静脉血管病变治疗仪，其特征在于，所述调Q装置是主动声光调Q开关，所述主动声光调Q开关两端镀有1064nm波段透射率不小于99％的介质膜；或，

所述调Q装置是主动电光调Q开关，所述主动电光调Q开关包括一电光调Q晶体和一1064nm波段的偏振片，所述电光调Q晶体两端镀有1064nm波段透射率不小于99％的介质膜，所述偏振片位于所述增益介质与电光调Q晶体之间。

6.如权利要求1所述的微静脉血管病变治疗仪，其特征在于，所述倍频晶体包括KTP、LBO、BBO、CLBO中的一种；所述倍频晶体的长度为4-15mm，所述倍频晶体的两端镀1064nm波段透射率不小于99％、532nm波段透射率不小于99％的介质膜。

7.如权利要求1所述的微静脉血管病变治疗仪，其特征在于，

所述全反镜镀有1064nm波段反射率不小于99％的介质膜；

所述输出镜镀有1064nm波段反射率不小于99％、532nm波段透射率不小于99％的介质膜；

所述光纤耦合透镜镀有532nm波段透射率不小于99％的介质膜，将输出光束聚焦到所述耦合光纤端面上。

8.如权利要求1-7中任一项所述的微静脉血管病变治疗仪，其特征在于，所述谐振腔还包括位于所述调Q装置和所述增益介质之间的λ/4波片以及位于所述增益介质和所述倍频晶体之间的谐波镜；

所述λ/4波片是1064nm波段的波片，所述λ/4波片表面镀有1064nm波段透射率不小于99％的介质膜；

所述谐波镜镀有1064nm波段透射率不小于99％、532nm波段反射率不小于99％的介质膜。

9.如权利要求8所述的微静脉血管病变治疗仪，其特征在于，所述调Q装置是主动电光调Q开关，所述主动电光调Q开关包括一电光调Q晶体和一1064nm波段的偏振片，所述偏振片位于所述λ/4波片与电光调Q晶体之间。

10.如权利要求1-7中任一项所述的微静脉血管病变治疗仪，其特征在于，所述谐振腔还包括位于所述增益介质和所述倍频晶体之间的谐波镜，所述泵浦源是半导体阵列泵浦泵浦。