[实用新型]台面PIN的侧面钝化结构

权利要求书

1.一种台面PIN的侧面钝化结构，其特征在于：包括半绝缘InP衬底以及在半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层，该半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层构成了阶梯层台面，该阶梯层台面的侧壁上生长有本征InP层，所述本征InP层上依次生长有SIO2层以及SINx层。

2.如权利要求1所述的台面PIN的侧面钝化结构，其特征在于：所述本征InP层的厚度为0.4-1um。

3.如权利要求1所述的台面PIN的侧面钝化结构，其特征在于：所述阶梯层台面为两级阶梯台面结构，其中InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层构成了第一级阶梯台面，缓冲层与N++型InP层构成了第二级阶梯台面。

4.如权利要求1所述的台面PIN的侧面钝化结构，其特征在于：所述阶梯层台面为正阶梯形台面。

5.如权利要求1所述的台面PIN的侧面钝化结构，其特征在于：所述本征InP层覆盖该阶梯层台面全部侧壁区域。