[实用新型]台面PIN的侧面钝化结构有效
申请号: | 201720420864.8 | 申请日: | 2017-04-21 |
公开(公告)号: | CN206711902U | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 刘志锋;唐琦;许海明 | 申请(专利权)人: | 武汉光安伦光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/18 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 程殿军,张瑾 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 台面 pin 侧面 钝化 结构 | ||
1.一种台面PIN的侧面钝化结构,其特征在于:包括半绝缘InP衬底以及在半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层,该半绝缘InP衬底上面依次生长的缓冲层、N++型InP层、InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层构成了阶梯层台面,该阶梯层台面的侧壁上生长有本征InP层,所述本征InP层上依次生长有SIO2层以及SINx层。
2.如权利要求1所述的台面PIN的侧面钝化结构,其特征在于:所述本征InP层的厚度为0.4-1um。
3.如权利要求1所述的台面PIN的侧面钝化结构,其特征在于:所述阶梯层台面为两级阶梯台面结构,其中InGaAs吸收层、InGaAsP过渡层、P++型InP的CAP层和InGaAs接触层构成了第一级阶梯台面,缓冲层与N++型InP层构成了第二级阶梯台面。
4.如权利要求1所述的台面PIN的侧面钝化结构,其特征在于:所述阶梯层台面为正阶梯形台面。
5.如权利要求1所述的台面PIN的侧面钝化结构,其特征在于:所述本征InP层覆盖该阶梯层台面全部侧壁区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的