[实用新型]一种用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩有效
申请号: | 201720426637.6 | 申请日: | 2017-04-21 |
公开(公告)号: | CN206639785U | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 郑银先;党继东;张标 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 饱和 pecvd 石墨 陶瓷 | ||
1.一种用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩,其特征在于:其包括陶瓷罩本体,所述陶瓷罩本体的正面设有与石墨舟上的卡点相配合的凹槽,所述凹槽的一端为延伸到陶瓷罩本体的边缘的开口结构,所述凹槽的另一端为位于陶瓷罩本体上的封闭结构。
2.根据权利要求1所述的用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩,其特征在于:所述陶瓷罩本体的背面还设有一正六边形的装卸槽,所述装卸槽的深度为1~2mm,所述装卸槽的边长为1~2mm。
3.根据权利要求1所述的用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩,其特征在于:所述凹槽上垂直于凹槽长度方向的截面为等腰梯形,所述等腰梯形的上底边宽度为3~5mm,下底边宽度为5~8mm,高度为1.5~2mm。
4.根据权利要求1所述的用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩,其特征在于:所述凹槽包括正面为矩形的第一子凹槽和正面为半圆形的第二子凹槽,所述第一子凹槽与第二子凹槽相连通。
5.根据权利要求4所述的用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩,其特征在于:所述第二子凹槽的外侧圆直径为3~5mm,内侧圆直径为5~8mm。
6.根据权利要求1所述的用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩,其特征在于:所述陶瓷罩本体为长方体陶瓷罩本体,或者圆柱体陶瓷罩本体,或者圆台陶瓷罩本体。
7.根据权利要求6所述的用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩,其特征在于:
当所述陶瓷罩本体为长方体陶瓷罩本体时,所述长方体陶瓷罩本体的长度为15~18mm,宽度为12~14mm,厚度为3~4mm;
当所述陶瓷罩本体为圆柱体陶瓷罩本体时,所述圆柱体陶瓷罩本体的底面圆直径为12~14mm,厚度为3~4mm;
当所述陶瓷罩本体为圆台陶瓷罩本体时,所述圆台陶瓷罩本体的上底面圆直径为9~11mm,下底面圆直径为12~14mm,厚度为3~4mm。
8.根据权利要求6所述的用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩,其特征在于:
当所述陶瓷罩本体为长方体陶瓷罩本体时,所述凹槽位于长方体陶瓷罩本体的正面的正中间位置;
当所述陶瓷罩本体为圆柱体陶瓷罩本体时,所述凹槽位于圆柱体陶瓷罩本体的底面的正中间位置;
当所述陶瓷罩本体为圆台陶瓷罩本体时,所述凹槽位于圆台陶瓷罩本体的上底面的正中间位置。
9.根据权利要求6所述的用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩,其特征在于:
当所述陶瓷罩本体为长方体陶瓷罩本体时,通过所述长方体陶瓷罩本体的正面的中心点作一平行于长方体陶瓷罩本体长度方向的直线,所述凹槽的位于长方体陶瓷罩本体正面的中心轴线位于该直线的左侧,所述中心轴线到该直线的距离为1~1.5mm;
当所述陶瓷罩本体为圆柱体陶瓷罩本体时,在所述圆柱体陶瓷罩本体的底面上取一条与凹槽位于该底面上的中心轴线相平行的直径,所述中心轴线位于该直径的左侧,所述中心轴线到该直径的距离为1~1.5mm;
当所述陶瓷罩本体为圆台陶瓷罩本体时,在所述圆台陶瓷罩本体的上底面上取一条与凹槽位于该上底面上的中心轴线相平行的直径,所述中心轴线位于该直径的左侧,所述中心轴线到该直径的距离为1~1.5mm。
10.根据权利要求6所述的用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩,其特征在于:
当所述陶瓷罩本体为长方体陶瓷罩本体时,通过所述长方体陶瓷罩本体的正面的中心点作一平行于长方体陶瓷罩本体长度方向的直线,所述凹槽的位于长方体陶瓷罩本体正面的中心轴线位于该直线的右侧,所述中心轴线到该直线的距离为1~1.5mm;
当所述陶瓷罩本体为圆柱体陶瓷罩本体时,在所述圆柱体陶瓷罩本体的底面上取一条与凹槽位于该底面上的中心轴线相平行的直径,所述中心轴线位于该直径的右侧,所述中心轴线到该直径的距离为1~1.5mm;
当所述陶瓷罩本体为圆台陶瓷罩本体时,在所述圆台陶瓷罩本体的上底面上取一条与凹槽位于该上底面上的中心轴线相平行的直径,所述中心轴线位于该直径的右侧,所述中心轴线到该直径的距离为1~1.5mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造