[实用新型]一种用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩有效
申请号: | 201720426637.6 | 申请日: | 2017-04-21 |
公开(公告)号: | CN206639785U | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 郑银先;党继东;张标 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 饱和 pecvd 石墨 陶瓷 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造领域,具体涉及一种用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩。
背景技术
太阳能硅片在生产加工过程中有一道工序叫做PECVD镀膜,这个工序需要用到石墨舟,将硅片放到石墨舟中,经过一定的条件产生化学反应,在硅片表面镀上一层膜,其作用是提高硅片的太阳能转化率。
石墨舟作为太阳能电池片镀减反射膜的一种载体,其结构和大小直接影响硅片的转换效率和生产效率。现有石墨舟包括:石墨舟片、陶瓷环、陶瓷杆、石墨杆、石墨隔块等配件。其工作原理为:将未镀膜的硅片放在石墨舟片的卡点上,每个舟片上可放固定数量的硅片,然后将石墨舟放置在PECVD真空镀膜设备的墙体内,采用PECVD工艺进行放电镀膜,镀膜结束后,取出石墨舟,将硅片从石墨舟上卸取下来。
现有的饱和石墨舟的方法主要通过在卡点上套设陶瓷环,陶瓷环为一中间设有通孔的圆柱环,相邻两个石墨舟片上的卡点插入陶瓷环的通孔中,该过程需要将石墨舟完全拆开,不但过程繁琐,而且频繁拆卸石墨舟容易损坏石墨舟,增加生产成本。
因此,设计一种用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩,其在安装时无需拆卸石墨舟,不仅缩短了工艺流程,提高了生产效率,还能避免石墨舟因频繁拆卸而损坏,降低生产成本,显然具有积极的现实意义。
发明内容
本实用新型的发明目的是提供一种用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩。
为达到上述发明目的,本实用新型采用的技术方案是:一种用于饱和管式PECVD用石墨舟的陶瓷罩,其包括陶瓷罩本体,所述陶瓷罩本体的正面设有与石墨舟上的卡点相配合的凹槽,所述凹槽的一端为延伸到陶瓷罩本体的边缘的开口结构,所述凹槽的另一端为位于陶瓷罩本体上的封闭结构。
上文中,所述开口结构方便卡点卡入凹槽中,封闭结构对卡入凹槽中的卡点起到限位作用。
进一步地,所述陶瓷罩本体的背面还设有一正六边形的装卸槽,所述装卸槽的深度为1~2mm,所述装卸槽的边长为1~2mm。优选地,所述装卸槽的深度为1.5mm,边长为2mm。
进一步地,所述凹槽上垂直于凹槽长度方向的截面为等腰梯形,所述等腰梯形的上底边宽度为3~5mm,下底边宽度为5~8mm,高度为1.5~2mm。优选地,所述上底边宽度为4mm,下底边宽度为8mm,高度为2mm。
其中,所述等腰梯形的上底边宽度指的是凹槽位于陶瓷罩本体正面的开口宽度,所述等腰梯形的下底边宽度指的是凹槽位于陶瓷罩本体内的下底边宽度,所述等腰梯形的高度指的是凹槽的深度。
进一步地,所述凹槽包括正面为矩形的第一子凹槽和正面为半圆形的第二子凹槽,所述第一子凹槽与第二子凹槽相连通。
进一步地,所述第二子凹槽的外侧圆直径为3~5mm,内侧圆直径为5~8mm。优选地,所述外侧圆直径为4mm,内侧圆直径为8mm。
其中,所述外侧圆直径指的是第二子凹槽位于陶瓷罩本体正面的半圆形开口的直径,所述内侧圆直径指的是第二子凹槽位于陶瓷罩本体内的半圆形底面的直径。
进一步地,所述陶瓷罩本体为长方体陶瓷罩本体,或者圆柱体陶瓷罩本体,或者圆台陶瓷罩本体。
进一步地,当所述陶瓷罩本体为长方体陶瓷罩本体时,所述长方体陶瓷罩本体的长度为15~18mm,宽度为12~14mm,厚度为3~4mm;
当所述陶瓷罩本体为圆柱体陶瓷罩本体时,所述圆柱体陶瓷罩本体的底面圆直径为12~14mm,厚度为3~4mm;
当所述陶瓷罩本体为圆台陶瓷罩本体时,所述圆台陶瓷罩本体的上底面圆直径为9~11mm,下底面圆直径为12~14mm,厚度为3~4mm。优选地,当所述陶瓷罩本体为长方体陶瓷罩本体时,长度为16mm,宽度为12mm,厚度为4mm;当所述陶瓷罩本体为圆柱体陶瓷罩本体时,底面圆直径为13mm,厚度为4mm;当所述陶瓷罩本体为圆台陶瓷罩本体时,上底面圆直径为10mm,下底面圆直径为13mm,厚度为4mm。
进一步地,当所述陶瓷罩本体为长方体陶瓷罩本体时,所述凹槽位于长方体陶瓷罩本体的正面的正中间位置;
当所述陶瓷罩本体为圆柱体陶瓷罩本体时,所述凹槽位于圆柱体陶瓷罩本体的底面的正中间位置;
当所述陶瓷罩本体为圆台陶瓷罩本体时,所述凹槽位于圆台陶瓷罩本体的上底面的正中间位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造