[实用新型]承载盘及其与管路装置的组合有效
申请号: | 201720468912.0 | 申请日: | 2017-04-28 |
公开(公告)号: | CN206864442U | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 王万昌;林冠廷 | 申请(专利权)人: | 春田科技顾问股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/67 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司11355 | 代理人: | 张雅军,谢琼慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 及其 管路 装置 组合 | ||
1.一种承载盘,其特征在于:
该承载盘包括一顶面,及一底面,该底面相反于该顶面,该承载盘界定有至少一贯穿于该顶面与该底面的第一安装孔、至少一贯穿于该顶面与该底面的第二安装孔、一由该底面朝该顶面方向凹陷的第一理线沟槽,及一由该底面朝该顶面方向凹陷的第二理线沟槽,该第一理线沟槽的一端及该第二理线沟槽的一端彼此相间隔,该第一理线沟槽的另一端及该第二理线沟槽的另一端分别邻近于该第一安装孔及该第二安装孔。
2.根据权利要求1所述的承载盘,其特征在于:该承载盘还包括一前边,及一相反于该前边的后边,该第一安装孔及该第二安装孔分别邻近于该后边及该前边,该承载盘还界定有一贯穿于该顶面与该底面且邻近于该后边的容置槽,该第一理线沟槽的另一端与该容置槽相连通,该第二理线沟槽具有一与该容置槽相连通的第一槽段,及至少一连通于该容置槽与该第二安装孔间的第二槽段。
3.根据权利要求2所述的承载盘,其特征在于:该承载盘界定有两个第一安装孔,及两个第二安装孔,该两第一安装孔分别间隔位于该第一理线沟槽左右侧,该第二理线沟槽具有两个第二槽段,该两第二槽段分别间隔位于该第一槽段左右侧。
4.根据权利要求3所述的承载盘,其特征在于:该承载盘还包括一界定于该容置槽前端的前端面,及两个分别界定于该容置槽左右侧的侧面,该第一理线沟槽以及该第一槽段形成于该前端面,该两第二槽段分别形成于该两侧面。
5.一种承载盘与管路装置的组合,其特征在于:
该组合包含一承载盘,及一管路装置,该承载盘包括一顶面,及一相反于该顶面的底面,该承载盘界定有至少一贯穿于该顶面与该底面的第一安装孔、至少一贯穿于该顶面与该底面的第二安装孔、一由该底面朝该顶面方向凹陷的第一理线沟槽,及一由该底面朝该顶面方向凹陷的第二理线沟槽,该第一理线沟槽的一端及该第二理线沟槽的一端彼此相间隔,该第一理线沟槽的另一端及该第二理线沟槽的另一端分别邻近于该第一安装孔及该第二安装孔,该管路装置包括一定位于该第一理线沟槽并延伸至该第一安装孔的充气管,及一定位于该第二理线沟槽并延伸至该第二安装孔的排气管。
6.根据权利要求5所述的承载盘与管路装置的组合,其特征在于:该承载盘还包括一前边,及一相反于该前边的后边,该第一安装孔及该第二安装孔分别邻近于该后边及该前边,该承载盘还界定有一贯穿于该顶面与该底面且邻近于该后边的容置槽,该第一理线沟槽的另一端与该容置槽相连通,该第二理线沟槽具有一与该容置槽相连通的第一槽段,及至少一连通于该容置槽与该第二安装孔间的第二槽段,该充气管定位于该第一理线沟槽且部分容置于该容置槽内,该排气管定位于该第一槽段与该第二槽段且部分容置于该容置槽内。
7.根据权利要求6所述的承载盘与管路装置的组合,其特征在于:该充气管具有一以紧配合方式卡合于该第一理线沟槽的第一充气管体,及一部分容置于该容置槽内的第二充气管体,该第一充气管体部分穿伸至该容置槽内并具有一位于该容置槽内的第一连接端,该第二充气管体连接于该第一连接端并延伸至该第一安装孔,该排气管具有一以紧配合方式卡合于该第一槽段的第一排气管体,及一以紧配合方式卡合于该第二槽段的第二排气管体,该第一排气管体部分穿伸至该容置槽内并具有一位于该容置槽内的第二连接端,该第二排气管体部分容置于该容置槽内并连接于该第二连接端,该第二排气管体延伸至该第二安装孔。
8.根据权利要求7所述的承载盘与管路装置的组合,其特征在于:该承载盘界定有两个第一安装孔,及两个第二安装孔,该两第一安装孔分别间隔位于该第一理线沟槽左右侧,该第一充气管体还具有一相反于该第一连接端的进气端,该第二充气管体具有两分别延伸至该两第一安装孔的充气端,该第二理线沟槽具有两个第二槽段,该两第二槽段分别间隔位于该第一槽段左右侧,该第一排气管体还具有一相反于该第二连接端的排气端,该第二排气管体具有一位于该容置槽内且连接于该第二连接端的连接管部,及两分别形成于该连接管部左右端的延伸管部,该两延伸管部分别卡合于该两第二槽段内,各该延伸管部具有一延伸至对应的该第二安装孔的入气端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造