[实用新型]大功率超薄整流芯片

权利要求书

1.一种大功率超薄整流芯片，其特征在于：包括芯片（1）、金属基板（2）、4个左侧引脚（3）、4个右侧引脚（4）和环氧树脂塑封体（5），所述芯片（1）通过胶粘层（6）固定于金属基板（2）上表面，所述芯片（1）与每个左侧引脚（3）之间通过左金线（7）电连接，所述芯片（1）与每个右侧引脚（4）之间通过右金线（8）电连接，所述芯片（1）、金属基板（2）、左侧引脚（3）的内侧端和右侧引脚（4）的内侧端位于环氧树脂塑封体（5）内；

所述4个左侧引脚（3）从前向后依次为第一左侧引脚（31）、第二左侧引脚（32）、第三左侧引脚（33）和第四左侧引脚（34），所述4个右侧引脚（4）从前向后依次为第一右侧引脚（41）、第二右侧引脚（42）、第三右侧引脚（43）和第四右侧引脚（44）；

所述第一左侧引脚（31）、第二左侧引脚（32）、第三左侧引脚（33）和第四左侧引脚（34）裸露出环氧树脂塑封体（5）部分均由左上水平部（9）、左折弯部（10）和左下水平部（11）首尾依次连接组成，所述第一右侧引脚（41）、第二右侧引脚（42）、第三右侧引脚（43）和第四右侧引脚（44）裸露出环氧树脂塑封体（5）部分均由右上水平部（12）、右折弯部（13）和右下水平部（14）首尾依次连接组成；

所述第一左侧引脚（31）和第三左侧引脚（33）的左上水平部（9）长度相同，所述第一左侧引脚（31）和第三左侧引脚（33）的左折弯部（10）高度相同，所述第二左侧引脚（32）和第四左侧引脚（34）的左上水平部（9）长度相同，所述第二左侧引脚（32）和第四左侧引脚（34）的左折弯部（10）高度相同；

所述第一左侧引脚（31）、第三左侧引脚（33）的左上水平部（9）的长度大于第二左侧引脚（32）、第四左侧引脚（34）的左上水平部（9）的长度，所述第一左侧引脚（31）、第三左侧引脚（33）的左折弯部（10）的高度大于第二左侧引脚（32）、第四左侧引脚（34）的左折弯部（10）的高度；

所述第一右侧引脚（41）和第三右侧引脚（43）的右上水平部（12）长度相同，所述第一右侧引脚（41）和第三右侧引脚（43）的右折弯部（13）高度相同，所述第二右侧引脚（42）和第四右侧引脚（44）的右上水平部（12）长度相同，所述第二右侧引脚（42）和第四右侧引脚（44）的右折弯部（13）高度相同；

所述第一右侧引脚（41）、第三右侧引脚（43）的右上水平部（12）的长度大于第二右侧引脚（42）、第四右侧引脚（44）的右上水平部（12）的长度，所述第一右侧引脚（41）、第三右侧引脚（43）的右折弯部（13）的高度大于第二右侧引脚（42）、第四右侧引脚（44）的右折弯部（13）的高度。

2.根据权利要求1所述的大功率超薄整流芯片，其特征在于：所述第一左侧引脚（31）、第三左侧引脚（33）的左上水平部（9）长度与第二左侧引脚（32）、第四左侧引脚（34）的左上水平部（9）长度相差0.2~2mm，所述第一右侧引脚（41）、第三右侧引脚（43）的右上水平部（12）长度与第二右侧引脚（42）、第四右侧引脚（44）的右上水平部（12）长度相差0.2~2mm。

3.根据权利要求1或2所述的大功率超薄整流芯片，其特征在于：相邻所述左侧引脚（3）间隔为0.5mm~5mm，相邻所述右侧引脚（4）间隔为0.5mm~5mm。

4.根据权利要求1或2所述的大功率超薄整流芯片，其特征在于：所述左侧引脚（3）的左上水平部（9）和左折弯部（10）的夹角与左折弯部（10）和左下水平部（11）的夹角均为90°~120°，所述右侧引脚（4）的右上水平部（12）和右折弯部（13）的夹角与右折弯部（13）和右下水平部（14）的夹角均为90°~120°。

5.根据权利要求1或2所述的大功率超薄整流芯片，其特征在于：所述第一左侧引脚（31）、第三左侧引脚（33）的左折弯部（10）的高度与第二左侧引脚（32）、第四左侧引脚（34）的左折弯部（10）的高度相差0.5mm~1.3mm，所述第一右侧引脚（41）、第三右侧引脚（43）的右折弯部（13）的高度大于第二右侧引脚（42）、第四右侧引脚（44）的右折弯部（13）的高度相差0.5mm~1.3mm。