[实用新型]大功率超薄整流芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种大功率超薄整流芯片，涉及半导体技术领域。

背景技术

半导体器件的设计是以电路原理图为根据，实现电路设计者所需要的功能。其主要指版图设计，需要考虑外部连接的布局，内部电子元件的优化布局，金属连线和通孔的优化布局，电磁保护，热耗散等各种因素。优秀的半导体器件可以节约生产成本，达到良好的电路性能和散热性能。

多芯片产品采用上述的封装结构存在一些先天的缺陷，如引脚之间的电压干扰、产品的散热效果较差、产品负载功率较小，产品使用寿命较低、产品生产成本较高等。因此寻求一种能够消除引脚之间电压干扰、提高产品散热效果、提高产品负载功率、提高产品使用寿命、降低产品生产成本的封装结构尤为重要。

发明内容

本实用新型目的是提供一种大功率超薄整流芯片，该大功率超薄整流芯片在水平方向和垂直方向上都将相邻的引脚错开来设置，有效消除引脚之间电压干扰，也有利于进一步缩小器件的尺寸，提高产品的使用寿命，降低产品生产成本。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种大功率超薄整流芯片，包括芯片、金属基板、4个左侧引脚、4个右侧引脚和环氧树脂塑封体，所述芯片通过胶粘层固定于金属基板上表面，所述芯片与每个左侧引脚之间通过左金线电连接，所述芯片与每个右侧引脚之间通过右金线电连接，所述芯片、金属基板、左侧引脚的内侧端和右侧引脚的内侧端位于环氧树脂塑封体内；

所述4个左侧引脚从前向后依次为第一左侧引脚、第二左侧引脚、第三左侧引脚和第四左侧引脚，所述4个右侧引脚从前向后依次为第一右侧引脚、第二右侧引脚、第三右侧引脚和第四右侧引脚；

所述第一左侧引脚、第二左侧引脚、第三左侧引脚和第四左侧引脚裸露出环氧树脂塑封体部分均由左上水平部、左折弯部和左下水平部首尾依次连接组成，所述第一右侧引脚、第二右侧引脚、第三右侧引脚和第四右侧引脚裸露出环氧树脂塑封体部分均由右上水平部、右折弯部和右下水平部首尾依次连接组成；

所述第一左侧引脚和第三左侧引脚的左上水平部长度相同，所述第一左侧引脚和第三左侧引脚的左折弯部高度相同，所述第二左侧引脚和第四左侧引脚的左上水平部长度相同，所述第二左侧引脚和第四左侧引脚的左折弯部高度相同；

所述第一左侧引脚、第三左侧引脚的左上水平部的长度大于第二左侧引脚、第四左侧引脚的左上水平部的长度，所述第一左侧引脚、第三左侧引脚的左折弯部的高度大于第二左侧引脚、第四左侧引脚的左折弯部的高度；

所述第一右侧引脚和第三右侧引脚的右上水平部长度相同，所述第一右侧引脚和第三右侧引脚的右折弯部高度相同，所述第二右侧引脚和第四右侧引脚的右上水平部长度相同，所述第二右侧引脚和第四右侧引脚的右折弯部高度相同；

所述第一右侧引脚、第三右侧引脚的右上水平部的长度大于第二右侧引脚、第四右侧引脚的右上水平部的长度，所述第一右侧引脚、第三右侧引脚的右折弯部的高度大于第二右侧引脚、第四右侧引脚的右折弯部的高度。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述第一左侧引脚、第三左侧引脚的左上水平部长度与第二左侧引脚、第四左侧引脚的左上水平部长度相差0.2~2mm，所述第一右侧引脚、第三右侧引脚的右上水平部长度与第二右侧引脚、第四右侧引脚的右上水平部长度相差0.2~2mm。

2. 上述方案中，相邻所述左侧引脚间隔为0.5mm~5mm，相邻所述右侧引脚间隔为0.5mm~5mm。

3. 上述方案中，所述左侧引脚的左上水平部和左折弯部的夹角与左折弯部和左下水平部的夹角均为90°~120°，所述右侧引脚的右上水平部和右折弯部的夹角与右折弯部和右下水平部的夹角均为90°~120°。

4. 上述方案中，所述第一左侧引脚、第三左侧引脚的左折弯部的高度与第二左侧引脚、第四左侧引脚的左折弯部的高度相差0.5mm~1.3mm，所述第一右侧引脚、第三右侧引脚的右折弯部的高度大于第二右侧引脚、第四右侧引脚的右折弯部的高度相差0.5mm~1.3mm。

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：