[实用新型]一种浮栅存储器

权利要求书

1.一种浮栅存储器，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的多个凹槽；

形成所述凹槽内的隔离绝缘层，所述衬底的上表面高度高于所述隔离绝缘层的上表面，以形成衬底凸起；

形成在所述衬底凸起上方的隧穿氧化层，所述隧穿氧化层延伸在所述隔离绝缘层上方；

形成在所述隧穿氧化层上方的浮栅，所述浮栅覆盖所述隧穿氧化层；

形成在所述浮栅上方的层间绝缘层，所述层间绝缘层延伸至所述隧穿氧化层上方；

覆盖在所述层间绝缘层上方的控制栅。

2.根据权利要求1所述的浮栅存储器，其特征在于，所述层间绝缘层包括依次层叠的第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和第三层间绝缘层；

所述第一层间绝缘层的材料为氧化硅；所述第二层间绝缘层的材料为氮化硅；所述第三层间绝缘层的材料为氧化硅。

3.根据权利要求1所述的浮栅存储器，其特征在于，

所述衬底凸起的上表面为平面或曲面。

4.根据权利要求3所述的浮栅存储器，其特征在于，

所述衬底凸起的纵截面为正方形。

5.根据权利要求4所述的浮栅存储器，其特征在于，

所述正方形的边长范围为大于等于15nm小于等于30nm。

6.根据权利要求1所述的浮栅存储器，其特征在于，

所述衬底的导电类型为N型或者P型。

7.根据权利要求1所述的浮栅存储器，其特征在于，

所述隔离绝缘层的材料为氧化硅。