[实用新型]一种输出空气阻隔室有效
申请号: | 201720494183.6 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN207068800U | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
发明(设计)人: | 陈幸;刘志攀;丁振宇 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输出 空气 阻隔 | ||
1.一种输出空气阻隔室,应用于对晶圆进行干法刻蚀的机台中,所述机台包括干法刻蚀的反应腔体、传送装置、输入空气阻隔室、输出空气阻隔室,所述输入空气阻隔室的一端与所述反应腔体连接,另一端与所述传送装置连接,所述输出空气阻隔室的一端与所述反应腔体连接,另一端与所述传送装置连接,其特征在于,所述输出空气阻隔室包括:
承托结构,设置于所述输出空气阻隔室中,用以水平的放置所述晶圆;
进气阀,设置于所述输出空气阻隔室的顶部,用以通过所述进气阀通入外部气体至所述输出空气阻隔室内;
加热装置,固定设置于所述输出空气阻隔室的内壁上,且位于所述承托结构的上方,并于所述进气阀连通;
出气阀,设置于所述输出空气阻隔室的底部;
所述出气阀连接有一气体泵,所述气体泵用以抽取所述输出空气阻隔室内多余的气体。
2.根据权利要求1所述的输出空气阻隔室,其特征在于,所述加热装置设置有多个出气口,多个所述出气口朝向于所述晶圆的放置位置。
3.根据权利要求2所述的输出空气阻隔室,其特征在于,所述出气口之间的间隔相同。
4.根据权利要求1所述的输出空气阻隔室,其特征在于,所述承托结构包括至少一对承托部,所述一对承托部分别相对设置于所述输出空气阻隔室的内壁上,用以水平的承托所述晶圆的边缘。
5.根据权利要求1所述的输出空气阻隔室,其特征在于,
还包括一真空传送装置,所述真空传送装置与所述反应腔体连接,所述输入空气阻隔室一端与所述真空传送装置连接,另一端与所述传送装置连接;
所述输出空气阻隔室一端与所述真空传送装置连接,另一端与所述传送装置连接。
6.根据权利要求1所述的输出空气阻隔室,其特征在于,所述输入空气阻隔室以及所述输出空气阻隔室的内径均大于所述晶圆的直径。
7.根据权利要求1所述的输出空气阻隔室,其特征在于,所述输入空气阻隔室以及所述输出空气阻隔室中均设置有一气体控制阀。
8.根据权利要求1所述的输出空气阻隔室,其特征在于,所述反应腔体还设置有一抽气阀,所述抽气阀用以连接一抽气设备。
9.根据权利要求1所述的输出空气阻隔室,其特征在于,所述机台还包括一晶圆放置盒,所述晶圆放置盒与所述传送装置连接,所述传送装置用以放置反应完成的所述晶圆。
10.根据权利要求1所述的输出空气阻隔室,其特征在于,所述进气阀通入的外部气体为氮气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造