[实用新型]一种输出空气阻隔室

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体设备领域，尤其涉及一种应用于干法刻蚀的机台中的输出空气阻隔室。

背景技术

现有的机台在执行干法刻蚀工艺时，通常是通过传送装置将晶圆传送至空气阻隔室，进而进入机台的反应腔体中进行干法刻蚀工艺，当干法刻蚀工艺完成后通过另一空气阻隔室传送出晶圆，晶圆在机台的反应腔体内进行干法刻蚀的工艺后，往往会在晶圆的表面上残留一些聚合物，如果生成的聚合物不能及时清除，则会在当前晶圆上聚集，与晶圆表面薄膜和水汽反应，造成晶圆缺陷，影响晶圆的良率。

发明内容

针对现有技术中在晶圆在执行干法刻蚀后存在的上述问题，现提供一种可对反应完成的晶圆的表面聚合物进行去除，提高晶圆良率的输出空气阻隔室。

具体技术方案如下：

一种输出空气阻隔室，应用于对晶圆进行干法刻蚀的机台中，所述机台包括干法刻蚀的反应腔体、传送装置、输入空气阻隔室、输出空气阻隔室所述输入空气阻隔室的一端与所述反应腔体连接，另一端与所述传送装置连接，所述输出空气阻隔室的一端与所述反应腔体连接，另一端与所述传送装置连接，其中，所述输出管道空气阻隔室包括：

承托结构，设置于所述输出空气阻隔室中，用以水平的放置所述晶圆；进气阀，设置于所述输出空气阻隔室的顶部，用以通过所述进气阀通入外部气体至所述输出空气阻隔室内；

加热装置，固定设置于所述输出空气阻隔室的内壁上，且位于所述承托结构的上方，并于所述进气阀连通；

出气阀，设置于所述输出空气阻隔室的底部；

所述出气阀连接有一气体泵，所述气体泵用以抽取所述输出空气阻隔室内多余的气体。

优选的，所述加热装置设置有多个出气口，多个所述出气口朝向于所述晶圆的放置位置。

优选的，所述出气口之间的间隔相同。

优选的，所述承托结构包括至少一对承托部，所述一对承托部分别相对设置于所述输出空气阻隔室的内壁上，用以水平的承托所述晶圆的边缘。

优选的，还包括一真空传送装置，所述真空传送装置与所述反应腔体连接，所述输入空气阻隔室一端与所述真空传送装置连接，另一端与所述传送装置连接；

所述输出空气阻隔室一端与所述真空传送装置连接，另一端与所述传送装置连接。

优选的，所述输入空气阻隔室以及所述输出空气阻隔室的内径均大于所述晶圆的直径。

优选的，所述输入空气阻隔室以及所述输出空气阻隔室中均设置有一气体控制阀。

优选的，所述反应腔体还设置有一抽气阀，所述抽气阀用以连接一抽气设备。

优选的，所述机台还包括一晶圆放置盒，所述晶圆放置盒与所述传送装置连接，所述传送装置用以放置反应完成的所述晶圆。

优选的，所述进气阀通入的外部气体为氮气。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过输出空气阻隔室中的进气阀输入外部气体，并通过加热装置对外部气体加热后输出至晶圆的表面，出气阀则将输出空气阻隔室中的多余气体抽出，以形成气体流通进而将晶圆表面的聚合物去除，克服了现有的晶圆在反应完成后聚合物聚集于晶圆表面造成晶圆缺陷，影响晶圆良率。

附图说明

图1为本实用新型一种输出空气阻隔室的实施例的整体结构示意图；图 2为本实用新型一种输出空气阻隔室的实施例中，关于输出空气阻隔室的正面剖视图；

图3为本实用新型一种输出空气阻隔室的实施例中，关于输出空气阻隔室不包含承托结构的结构示意图；

图4为本实用新型一种输出空气阻隔室的另一实施例的整体结构示意图.

附图标记表示：

1、机台；11、反应腔体；12、传送装置；13、输入空气阻隔室；14、输出空气阻隔室；15、晶圆放置盒；16、抽气阀；141、承托部件；142、加热装置；143、进气阀；144、出气阀；1421、出气口；a1、晶圆。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。