[实用新型]一种DFN3030‑8高密度框架

权利要求书

1.一种DFN3030-8高密度框架，其特征在于，包括板状结构的矩形框架，在框架上设多个与DFN3030-8封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部为矩形，且所有芯片安装部的长边与框架的长边平行布置；在框架上与每个芯片安装部对应设有8个引脚槽，所述引脚槽4个为一组布置于芯片安装部的对称两侧、并延伸至芯片安装部边缘，相邻的芯片安装部对称设置，使相邻芯片安装部的引脚槽连通，连通的引脚槽底设有半腐蚀的槽内半腐蚀区。

2.根据权利要求1所述的DFN3030-8高密度框架，其特征在于，所述槽内半腐蚀区为椭圆形结构，且以相邻芯片安装部之间的切割道中心为中心线对称设置。

3.根据权利要求2所述的DFN3030-8高密度框架，其特征在于，在芯片安装部未设引脚槽的侧面为竖向连接筋，所述竖向连接筋为半腐蚀结构，在竖向连接筋的竖向中心线两侧对称设有镂空槽。

4.根据权利要求1所述的DFN3030-8高密度框架，其特征在于，在框架的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框切割道，包括横向边框切割道和竖向边框切割道，所述竖向边框切割道为沿竖向设置的矩形通槽，在矩形通槽内间隔设有多个工字连筋，用于加强竖向边框切割道的结构。

5.根据权利要求4所述的DFN3030-8高密度框架，其特征在于，多个所述工字连筋之间的间隙分别与芯片安装部之间的横向连接筋对应设置。

6.根据权利要求5所述的DFN3030-8高密度框架，其特征在于，所述横向边框切割道包括间隔设置的矩形半腐蚀区和矩形通孔，在矩形通孔内设置有中部连筋，在矩形半腐蚀区内设有中部通孔，所述中部通孔竖向设置、并与芯片安装部之间的竖向连接筋对应设置，所述中部连筋横向设置。

7.根据权利要求3所述的DFN3030-8高密度框架，其特征在于，在引脚槽之间还设有引脚槽连筋，在引脚槽连筋和竖向连筋交接处设置有十字形连筋进行连接。

8.根据权利要求1-7之一所述的DFN3030-8高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚槽，相邻的芯片安装部之间设有多个固定连筋相连。

9.根据权利要求1所述的DFN3030-8高密度框架，其特征在于，所述框架上设有单元分隔槽，所述单元分隔槽设置在框架中部，将框架均分为2个芯片安装单元。

10.根据权利要求9所述的DFN3030-8高密度框架，其特征在于，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个芯片安装单元内均布置有18排、36列芯片安装部。