[实用新型]一种DFN2018‑6高密度框架

权利要求书

1.一种DFN2018-6高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上多个与DFN2018-6封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部设有4个引脚槽，所有引脚槽均延伸至芯片安装部边缘，每个所述引脚槽靠近芯片安装位置的槽宽相对于另一侧更大，且靠近芯片安装位置的引脚槽周围设置成半腐蚀结构，使每个引脚槽能安装2根引脚。

2.根据权利要求1所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部包括芯片支撑区和芯片散热区，在芯片支撑区两侧对称设有两个芯片散热区，所述芯片支撑区为半腐蚀结构。

3.根据权利要求1所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所有芯片安装部的长边与框架的长边或短边平行布置，所有引脚槽均设置于芯片安装部的一侧并延伸至边缘，芯片安装部的另一对称侧设有与切割道连通的连通槽。

4.根据权利要求1所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，在芯片安装部之间为切割部，所述切割部为横竖交错的切割道连筋，所述切割道连筋的宽度为0.1±0.05mm。

5.根据权利要求4所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述切割道连筋为半腐蚀结构。

6.根据权利要求4所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，在芯片安装部周围的四个角上还设有十字连筋，用于连接横竖交错设置的切割道连筋。

7.根据权利要求1-6之一所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述框架的边框部分的开孔处增加半腐蚀设计。

8.根据权利要求7所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述边框上也设有半腐蚀结构，为在边框面上设置的多个工字型半腐蚀区，多个所述工字型半腐蚀区在边框上间隔设置。

9.根据权利要求1-6之一所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述框架上设有单元分隔槽，所述单元分隔槽设置在框架中部，将框架均分为2个芯片安装单元。

10.根据权利要求9所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个芯片安装单元内均布置有27排、58列芯片安装部。