[实用新型]一种DFN2018‑6高密度框架有效

专利信息
申请号: 201720510285.2 申请日: 2017-05-10
公开(公告)号: CN206711890U 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: 罗天秀;樊增勇;崔金忠;李东;许兵;李宁;李超 申请(专利权)人: 成都先进功率半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 四川力久律师事务所51221 代理人: 王芸,熊晓果
地址: 611731 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 dfn2018 高密度 框架
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制造技术,特别是一种DFN2018-6高密度框架。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,其在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。

在半导体的制造过程中,通常是将半导体集成到引线框架上,让引线框架作为集成电路的芯片载体,形成电气回路,起到了和外部导线连接的桥梁作用。芯片封装形式为DFN2018-6(DFN是小型电子元器件的芯片封装单元型号,2018表示单个芯片安装部的尺寸为长2.0mm、宽1.8mm,6表示有6个引脚),由于该类芯片安装部的引脚数量较多,需在芯片安装部周围多个方向布置引脚槽,使得芯片与芯片之间的距离增加,降低了框架基体材料的利用率、增加生产成本。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于:针对现有DFN2018-6封装形式的框架的芯片安装部的引脚数量较多,需要在芯片安装部周围多方位布置引脚槽,造成框架上芯片与芯片之间的距离增加,框架基体材料利用率不高的问题,提供一种DFN2018-6高密度框架,该框架将靠近芯片安装位置的引脚槽槽宽增大,使单个引脚槽可容纳2根引脚线的焊接,无需在芯片安装部周围设置6个引脚槽,减少引脚槽数量,进而可以在芯片安装部一个方向上布置完所有的引脚槽,使芯片安装部之间的距离缩小,增加芯片布置数量、提高材料利用率和节约成本。

为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:

一种DFN2018-6高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上多个与DFN2018-6封装结构相适应的芯片安装部,每个芯片安装部设有4个引脚槽,所有引脚槽均延伸至芯片安装部边缘,每个所述引脚槽靠近芯片安装位置的槽宽相对于另一侧更大,且靠近芯片安装位置的引脚槽周围设置成半腐蚀结构,使每个引脚槽能安装2根引脚。

该框架在芯片安装部上设置的引脚槽,通过将其靠近芯片安装位置的槽宽度增大,使单个引脚槽可容纳2根引脚线的焊接,无需在芯片安装部周围设置6个引脚槽,减少引脚槽数量,进而可以在芯片安装部一个方向上布置完所有的引脚槽,使芯片安装部之间的距离缩小,增加芯片布置数量、提高材料利用率和节约成本。

作为本实用新型的优选方案,所述芯片安装部包括芯片支撑区和芯片散热区,在芯片支撑区两侧对称设有两个芯片散热区,所述芯片支撑区为半腐蚀结构。在芯片支撑区两侧设置芯片散热区,增加芯片散热性,保证产品生产质量,而将芯片支撑区设置为半腐蚀结构,增加芯片与框架的结合性。

作为本实用新型的优选方案,所有芯片安装部的长边与框架的长边或短边平行布置,所有引脚槽均设置于芯片安装部的一侧并延伸至边缘,芯片安装部的另一对称侧设有与切割道连通的连通槽。芯片安装部上与引脚槽对称侧设置与切割道连通的连通槽,便于芯片安装部的切割操作,减少切割时刀片对芯片产品的损伤。

作为本实用新型的优选方案,在芯片安装部之间为切割部,所述切割部为横竖交错的切割道连筋,所述切割道连筋的宽度为0.1±0.05mm。相对于现有的连筋宽度减小,进一步提高材料利用率;同时切割道连筋宽度尺寸减小,使刀片切割时产生的热量更少, 产生更少的热应力,避免相邻的产品管脚的金属和塑封料之间产生分层, 增强产品的潮湿敏感性和提高产品的可靠性。

作为本实用新型的优选方案,所述切割道连筋为半腐蚀结构。切割道连筋设成半腐蚀结构,即将切割道连筋的厚度削薄,进一步减小切割难度。

作为本实用新型的优选方案,在芯片安装部周围的四个角上还设有十字连筋,用于连接横竖交错设置的切割道连筋。采用十字连筋连接横竖交错位置的切割道连筋,便于连接操作,提高分割操作效率和分割准确性,保证产品质量。

作为本实用新型的优选方案,所述框架的边框部分的开孔处增加半腐蚀设计。以增加塑封料和框架之间的结合力,使得在切割分离时更容易去除边框,边框上的残余塑封料也不会调入产品内,避免对后续工序产生不良影响。

作为本实用新型的优选方案,所述边框上也设有半腐蚀结构,为在边框面上设置的多个工字型半腐蚀区,多个所述工字型半腐蚀区在边框上间隔设置。工字型半腐区的设置,减小了边框厚度,便于切割分离,同时也不影响框架的强度。

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