[实用新型]一种DFN2020‑6多芯片高密度框架

权利要求书

1.一种DFN2020-6多芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上设多个与DFN2020-6封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设有3个芯片安置区，3个芯片安置区的连线呈三角形，即3个芯片安置区分别位于三角形的三个角上；3个芯片安置区中其中2个为安置大芯片的大芯片安置位，另一为第一芯片安置区，所述第一芯片安置区用于放置2个小芯片，所述第一芯片安置区槽型边框周围的区域为半腐蚀结构。

2.根据权利要求1所述的DFN2020-6多芯片高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部为矩形结构，其中第一芯片安置区设置在靠近芯片安装部边缘的位置，在第一芯片安置区所在的芯片安装部的侧边处还设有2个引脚槽，在芯片安装部的另一相对侧边布置另外3个引脚槽。

3.根据权利要求2所述的DFN2020-6多芯片高密度框架，其特征在于，所述第一芯片安置区内的两个小芯片分别引出1根引线，并焊接于离其最近的引脚槽内，而两个大芯片安置位内的芯片分别引出2根引线，靠近边缘的2根引线分别焊接于边侧的引脚槽内，中部的两根引线共同焊接于中部引脚槽内。

4.根据权利要求1所述的DFN2020-6多芯片高密度框架，其特征在于，相邻的芯片安装部之间为切割道，在切割道上间隔设有多个镂空通孔。

5.根据权利要求1-4之一所述的DFN2020-6多芯片高密度框架，其特征在于，所述框架的边框和布置芯片安装部的区域通过一圈边框孔分隔开，所述边框孔为间隔设置的矩形通孔。

6.根据权利要求5所述的DFN2020-6多芯片高密度框架，其特征在于，在边框孔的中部设有中部连筋，所述中部连筋为半腐蚀结构。

7.根据权利要求1所述的DFN2020-6多芯片高密度框架，其特征在于，所述框架上设有单元分隔槽，所述单元分隔槽设置在框架中部，将框架均分为2个芯片安装单元。

8.根据权利要求7所述的DFN2020-6多芯片高密度框架，其特征在于，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个芯片安装单元内均布置有27排、52列芯片安装部。