[实用新型]一种DFN2020‑6多芯片高密度框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制造技术，特别是一种DFN2020-6多芯片高密度框架。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

在半导体的制造过程中，通常是将半导体集成到引线框架上，让引线框架作为集成电路的芯片载体，形成电气回路，起到了和外部导线连接的桥梁作用。芯片封装形式为：DFN2020-6多芯（DFN是小型电子元器件的芯片封装单元型号,2020表示单个芯片安装部的尺寸为长2.0mm、宽2.0mm的正方形结构，6表示有6个引脚，多芯表示在单个芯片安装部内可安装多个芯片）。

由于需要在每个芯片安装部布置更多的芯片，这就对单个芯片安装部的尺寸要求更高了，为了提高框架基体材料的利用率，需要对芯片安装部上芯片安置区及芯片安装部在框架上的布置形式进行研究，以达到较高的综合效益。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于：针对需要在单个芯片安装部内布置多个芯片安置区的框架，由于芯片安置区数量的增加使得芯片安装部的尺寸变大，进而在框架上布置的芯片安装部数量有限，材料利用率低、生产成本高的问题，提供一种DFN2020-6多芯片高密度框架，该框架在每个芯片安装部上设置3个芯片安置区，且分别分布于三角形的三个角上，利于节省布置空间，并将其中一个芯片安置区的槽型边框周围设置成半腐蚀结构，能利用该半腐蚀结构和芯片安置区放置2个小芯片，这样整个芯片安装部上可以4个芯片，提高芯片布置率，节约生产成本。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种DFN2020-6多芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上设多个与DFN2020-6封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设有3个芯片安置区，3个芯片安置区的连线呈三角形，即3个芯片安置区分别位于三角形的三个角上；3个芯片安置区中其中2个为安置大芯片的大芯片安置位，另一为第一芯片安置区，所述第一芯片安置区用于放置2个小芯片，所述第一芯片安置区槽型边框周围的区域为半腐蚀结构。

该框架在芯片安装部上设置3个芯片安置区，且分别分布于三角形的三个角上，利于节省布置空间；而三个芯片安置区中2个为大芯片安置位，另一个第一芯片安置区的槽型边框周围设置成半腐蚀结构，能利用该半腐蚀结构和第一芯片安置区放置2个小芯片，这样整个芯片安装部上可以4个芯片，提高芯片布置率，且能节约单个芯片安装部的尺寸，达到在相同框架尺寸上布置更多的芯片安装部的目的，提高框架材料利用率、节约生产成本。

作为本实用新型的优选方案，所述芯片安装部为矩形结构，其中第一芯片安置区设置在靠近芯片安装部边缘的位置，在第一芯片安置区所在的芯片安装部的侧边处还设有2个引脚槽，在芯片安装部的另一相对侧边布置另外3个引脚槽。在芯片安装部的一个侧边上，第一芯片安置区同2个引脚槽组成一组，与另外3个引脚槽设置于芯片安装部的两个对称侧边，使得芯片安装部剩余的两边不用布置槽型结构，相邻的芯片安装部之间的距离可以缩小，利于提高芯片安装部的布置率。

作为本实用新型的优选方案，所述第一芯片安置区内的两个小芯片分别引出1根引线，并焊接于离其最近的引脚槽内，而两个大芯片安置位内的芯片分别引出2根引线，靠近边缘的2根引线分别焊接于边侧的引脚槽内，中部的两根引线共同焊接于中部引脚槽内。将引线引入最近的引脚槽内焊接，避免交叉干扰。

作为本实用新型的优选方案，相邻的芯片安装部之间为切割道，在切割道上间隔设有多个镂空通孔。在切割道上字镂空的通孔，便于芯片安装部的分离切割，并且能抵消一定的框架变形，增加整体框架的抗损坏能力。

作为本实用新型的优选方案，所述框架的边框和布置芯片安装部的区域通过一圈边框孔分隔开，所述边框孔为间隔设置的矩形通孔。在框架的边框和布置芯片安装部的区域通过边框孔隔开，便于边框的分离操作，提高分离操作效率。

作为本实用新型的优选方案，在边框孔的中部设有中部连筋，所述中部连筋为半腐蚀结构。采用中部连筋进行加强的边框孔，保证可靠性；而将中部连筋设置成半腐蚀结构，也不增加分隔的难度。