[实用新型]一种溅射装置的制程反应室及溅射装置

说明书

本实用新型提供一种溅射装置的制程腔体及溅射装置，包括：反应室主体，包括相互平行设置的两个侧壁板以及连接两个侧壁板的底部板，侧壁上设有孔洞，孔洞的内壁顶部设有与侧壁连接的气体源，气体源连接有点燃装置，孔洞的内壁底部垂直连接有有起辉面，底部板位于制程空间内的一侧连接有基材；孔洞的直径为标准直径的两倍，起辉面上设有喷砂层。本实用新型的有益效果：通过设置气体源和起辉面之间的距离为预设距离，能够避免等离子体损伤起辉面导致起辉面上产生微粒，通过在起辉面上设置粗糙层，进一步避免等离子体损伤起辉面导致起辉面上产生微粒，从而避免反应室主体内的微粒颗数超出制程需求。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种溅射装置的制程反应室及溅射装置。

背景技术

随着半导体工艺发展，铝焊垫形成工艺因其成本低，电阻率优良等工艺特点被广泛应用。通常采用溅射镀膜工艺在制程反应室内形成铝焊垫的铝膜。

图1为现有技术中一种制程反应室1的结构示意图，制程反应室1包括反应室主体2和上盖组件3，反应室主体2一般包括侧壁4和底部5，所述侧壁4和/或底部5一般包含复数个孔洞6；上盖组件3一般包含一靶材7基于其连接的接地挡板组件(图中未示出)，该靶材7提供可在PVD制程器件沉积至基材8表面上的材料来源，一高压电源供应器(图中未示出)与该靶材7连接，一磁电管组件(图中未示出)，用于增强制成器件靶材材料的消耗。

在溅射制程器件，为在该基材8上沉积一材料，该靶材7和该基材制程由高压电源供应器相对于彼此偏压，一制程气体，例如是惰性气体和其他其他，例如氩气、氮气，从一气体源9通过设置在侧壁的上述孔洞供应至反应室主体2内，该制程气体经点燃成为等离子体，且等离子体中的离子朝该靶材7加速，将靶材材料从靶材7逐出成为为微粒，逐出材料或微利经偏压吸引朝向该基材8，在该基材8上沉积出一材料膜。

由于孔洞6的上下两侧分别为气体源9和起辉面10，气体源9设置在靶材7的边缘位置，起辉面10设置在所述气体源9的下方且与所述侧壁4相对垂直连接，气体源9与起辉面10之间的标准距离为1mm，当气体源9输出的制程气体被点燃成为等离子体后，这些等离子体需通过上述孔洞9进入反应室主体2内，等离子体容易损伤起辉面10，导致起辉面10上产生微粒，从而导致反应室主体2内的微粒颗数常常超出制程需求。

实用新型内容

针对现有技术中存在的问题，本实用新型提供了一种避免损伤起辉面以及避免微粒颗数超出制程要求的溅射装置的制程反应室及溅射装置。

本实用新型采用如下技术方案：

一种溅射装置的制程反应室，包括：反应室主体，所述反应室主体内设有一气体源以及一起辉面，所述起辉面朝向所述气体源，所述气体源与所述起辉面之间具有一预设距离，所述起辉面上设有粗糙层。

优选的，所述反应室主体包括相互平行设置的两个侧壁板以及连接所述两个侧壁板的底部板，所述反应室主体内设有制程空间，所述侧壁上设有孔洞，所述孔洞的内壁顶部设有所述气体源，所述孔洞的内壁底部平行连接有所述起辉面，所述底部板位于所述制程空间内的一侧连接有基材。

优选的，所述制程反应室还包括：

上盖组件，所述上盖组件包括连接所述两个侧壁版的顶部板，所述顶部板位于所述制程空间内的一侧连接有靶材；

电源，所述电源连接所述靶材；

点燃装置，所述点燃装置连接所述气体源。

优选的，所述预设距离为2mm。

优选的，所述粗糙面为喷砂面。

优选的，所述靶材通过靶材连接件连接于所述顶部板。

优选的，所述基材通过基材连接件连接于所述底部板。

优选的，所述起辉面与所述侧壁相互垂直设置。