[实用新型]一种在读操作时纠正存储阵列错误的动态随机存取存储器有效
申请号: | 201720549120.6 | 申请日: | 2017-05-17 |
公开(公告)号: | CN207337927U | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 亚历山大 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C11/409 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 郑建晖;钟守期 |
地址: | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 在读 操作 纠正 存储 阵列 错误 动态 随机存取存储器 | ||
1.一种在读操作时纠正存储阵列错误的动态随机存取存储器,该动态随机存取存储器即DRAM含有存储阵列,该存储阵列包括数据阵列和ECC阵列,其特征在于,
所述DRAM还包括一个寄存器,其中所述寄存器仅仅寄存有经该DRAM中的ECC解码和纠正模块纠正后的错误数据位以及其位置。
2.根据权利要求1所述的动态随机存取存储器,其特征在于,该寄存器包括数据寄存器和位置寄存器,并且其中经纠正的错误数据位被寄存在该数据寄存器中,经纠正的错误数据位的位置被寄存在该位置寄存器中。
3.根据权利要求2所述的动态随机存取存储器,其特征在于,该数据寄存器包括一个或多个子寄存器,所述DRAM中具有多个写驱动,所述一个或多个子寄存器的数目为所述ECC解码和纠正模块能够纠正的错误的位数,所述一个或多个子寄存器中的每一个子寄存器分别连接至所述多个写驱动中的每一个写驱动,由所述位置寄存器根据经纠正的错误数据位的位置发出使能信号来开启相应的写驱动。
4.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器,其特征在于,所述写驱动为存储器已有的写驱动,其中:在进行读操作时,由所述位置寄存器根据经纠正的错误数据位的位置发出使能信号,以开启相应的写驱动并且控制将数据寄存器中的经纠正的错误数据位传导到写驱动;在进行写操作的时候,断开所述数据寄存器和写驱动的连接,使得待写入的数据由外部决定。
5.根据权利要求3所述的动态随机存取存储器,其特征在于,所述写驱动为不同于存储器已有的写驱动的新的写驱动,其中:当进行写操作的时候,已有的写驱动去驱动外部数据写入数据阵列,新的写驱动关闭;当进行读操作的时候,已有的写驱动关闭,当存在经纠正的错误数据位时,由所述位置寄存器根据经纠正的错误数据位的位置发出使能信号,以开启相应的写驱动并且控制将数据寄存器中的经纠正的错误数据位传导到写驱动。
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